Приготування та характеризація вуглецево-кремнієвих гібридних наноструктур

Автори В.В. Лісняк1,2, Г.К. Муссабек2,3, Н.Ж. Жилкибаєва2,3, С.З. Бактигерей2,3, О.М. Задерко4
Приналежність

1Київський національний університет імені Тараса Шевченка, вул. Володимирська, 64, 01601 Київ, Україна

2Інститут інформаційних та обчислювальних технологій, вул. Пушкіна, 125, 050000 Алмати, Казахстан

3Казахський національний університет імені Аль-Фарабі, просп. Аль-Фарабі, 71, 050040 Алмати, Казахстан

4Інститут високих технологій, Київський національний університет імені Тараса Шевченка, пр. Глушкова, 2, 03187 Київ, Україна

Е-mail lisnyak@univ.kiev.ua
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 5
Дати Одержано 14 квітня 2021; у відредагованій формі 20 жовтня 2021; опубліковано online 25 жовтня 2021
Посилання В.В. Лісняк, Г.К. Муссабек, Н.Ж. Жилкибаєва, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 5, 05035 (2021)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.13(5).05035
PACS Number(s) 68.35. − p, 68.90. + g
Ключові слова Наноструктури (22) , Кремній та вуглець, Гібриди (2) .
Анотація

У статті ми описуємо особливості будови гібридних наноструктур вуглець-кремній (Si@C). Вихідні кремнієві наночастинки (Si НЧ) були отримані кислотним травленням із порошкоподібного силумінового (80%Al–20%Si) сплаву. Для приготування гібридних наноструктур Si@C було запропоновано використання стандартних термічних та хімічних методів. Рекомендований підхід передбачає обробку окисленої поверхні Si НЧ полівінілпіролідоном, як сполукою-попередником, що містить вуглець; отриманий продукт слід піддавати подальшій карбонізації. Для запобігання значного спікання компонентів, Si НЧ, оброблені полівінілпіролідоном, поміщали в піч з киплячим шаром і прожарювали при 400 та 500°C в атмосфері аргону протягом 4годин. За даними атомно-силової мікроскопії, скануючої електронної мікроскопії, трансмісійної електронної мікроскопії (ТЕМ) та скануючої трансмісійної електронної мікроскопії з висококутовою кільцевою діаграмою темного поля (СТЕМ-ВКДТП), ми отримали інтерфейс Si@C та відповідні Si/C гетероструктури. Використовуючи зображення TEM та СТЕМ-ВКДТП, ми виявили, що 2D вуглецеві наноструктури утворюються на структурованій поверхні нанокремнію, як на підкладці. Згідно візуалізації модифікованого інтерфейсу, вуглецеві НЧ є аморфними та напіваморфними наноструктурами. Вуглецеві НЧ, інтерфейс Si@C та відповідні Si/C гетероструктури гібридів Si@C можуть бути перспективними як зонди для розробки нових сенсорних пристроїв. Сенсорні відгуки датчиків на гібридній основі Si@C на пари аміаку, метанолу та етанолу вимірювали при кімнатній температурі та порівнювали. Слід зазначити, що датчики на гібридній основі мають високу чутливість та вибірковість до 10мд. аміаку, на відміну від реакції на 1000мд. парів метанолу та етанолу. Запропоновані гібриди мають великий потенціал щодо використання в адсорбційних напівпровідникових газових датчиках для визначення аналітів у парах з використанням нановуглецю, зв’язаного з кремнієм, у гібридних наноструктурах в якості зонду.

Перелік посилань