Гідрохімічний синтез плівкових твердих розчинів HgS1 – xSex
| Автори | М.А. Созанський , П.Й. Шаповал , В.Є. Стаднік , О.П. Курило, М.М. Ларук |
| Приналежність |
Національний університет «Львівська політехніка», вул. Степана Бандери, 12, 79013 Львів, Україна |
| Е-mail | martyn.a.sozanskyi@lpnu.ua |
| Випуск | Том 13, Рік 2021, Номер 5 |
| Дати | Одержано 06 липня 2021; у відредагованій формі 20 жовтня 2021; опубліковано online 25 жовтня 2021 |
| Посилання | М.А. Созанський, П.Й. Шаповал, В.Є. Стаднік, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 13 № 5, 05032 (2021) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.13(5).05032 |
| PACS Number(s) | 81.15.Lm, 61.05.cp, 78.66.Hf, 68.55.ag |
| Ключові слова | Сульфід ртуті (2) , Селенід ртуті, Плівки (124) , Тверді розчини (12) , Хімічне осадження (9) , Оптичні властивості (26) . |
| Анотація |
Плівки твердого розчину сульфіду-селеніду ртуті (HgS1 – xSex) синтезовано на скляних підкладках методом гідрохімічного осадження. Використано водні розчини нітрату ртуті (II), тіосечовини, натрій селеносульфату та тринатрій цитрату. Проведено теоретичний розрахунок граничних умов утворення сульфіду ртуті, селеніду ртуті та оксиду ртуті в системі ртуть-тіосечовина-цитрат. Згідно з виконаним рентгенофазовим та елементним аналізом, отримані зразки плівок є однофазними і складаються із твердих розчинів заміщення HgS1 – xSex. Досліджено вплив концентрації селеносульфату натрію на ступінь заміщення S-Se покриттів HgS1 – xSex. Встановлено, що параметр x змінюється від 0.068 до 0.334 із збільшенням вмісту Na2SeSO3 від 1·10 – 5 до 1·10 – 4 М. В той же час, модифікація структури HgS1 – xSex змінюється з кіновару до сфалериту. Більш високі концентрації селеносульфату натрію дають занадто високу швидкість формування кінцевого продукту, і, відповідно, складність отримання покриттів. Досліджено морфологічні та оптичні властивості плівок HgS1 – xSex. Їхня поверхня є суцільною, однорідною і має невелику кількість поверхневих дефектів. Оптичне пропускання плівок HgS1 – xSex збільшується в досліджуваній області довжин хвиль від 340 до 900 нм. Крива пропускання має стрибок в області 400 нм, який зміщується вправо зі збільшенням вмісту селену в HgS1 – xSex, відповідно, оптична ширина забороненої зони плівок зменшується з 2.70 до 2.43 еВ. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Аналіз профілю піків рентгенівської дифракційної картини наноструктури оксиду цинку [05001-1-05001-4]2) Фоточутливі гетероструктури n-Zn0.5Cd0.5O/p-InSe, виготовлені методом магнетронного розпилення [05002-1-05002-4]
3) Дослідження умов осадження тонких плівок міді з продуктів деструкції електродів перенапруженого високовольтного розряду в аргоні високого тиску [05003-1-05003-7]
4) Вплив температури відпалу на структуру та властивості феритів вісмута [05004-1-05004-7]
5) Сітчаста метаповерхня як ультра тонка чвертьхвильова пластинка [05005-1-05005-5]
6) Розпад домішкових кластерів атомів нікелю та кобальту в кремнії під впливом тиску [05006-1-05006-4]
7) Просторові розподіли станів 3p54s атомів аргону в плазмі високочастотного магнетронного розпилення з радіаційною моделлю зіткнень [05007-1-05007-9]
8) Вплив температури підкладки і вмісту магнію на розвиток морфології та люмінесценцію плівок ZnO:Mg [05008-1-05008-6]
9) Механізми релаксації електронного збудження триазидо-S-триазину [05009-1-05009-5]
10) Моделювання теплових явищ у біологічних тканинах, викликаних поверхневим плазмонним резонансом у метал-графенових наночастинках [05010-1-05010-7]
11) Практичні аспекти отримання наноструктурних композитних NaCl-Fe плівок способом EB-PVD на підкладках, що обертаються [05011-1-05011-6]
12) Ультра-мініатюрна антена для надширокосмугових застосувань [05012-1-05012-4]
13) Вплив high-k діелектричних матеріалів на короткоканальні ефекти в тризатворних SOI FinFETs [05013-1-05013-6]
14) Аналіз безперехідного транзистора на основі нанодротів з гетеропереходом, нітридом металу та подвійним металевим затвором [05014-1-05014-4]
15) Структурне та морфологічне дослідження наноструктури CuO, яка осаджується водорозчинним нітрат-гемі(пентагідратом) міді (II) та NaOH як реагентами [05015-1-05015-4]
16) Аналіз характеристик I-V-T сонячних елементів на основі перовскіту CH3NH3PbBr3 [05016-1-05016-4]
17) Особливості непружних та пружних характеристик Si та SiO2/Si структур [05017-1-05017-5]
18) Тонка плівка CuO, виготовлена методом золь-гелю: характеристики для застосування в пристроях [05018-1-05018-5]
19) Експериментальний метод кількісної оцінки струмів витоку сонячних елементів за залежностями густини струму від напруги [05019-1-05019-4]
20) Одновісна модель теплового балансу сонячного колектора [05020-1-05020-5]
21) Динаміка перетворення малих ГЦК кристалів у ікосаедричні наночастинки [05021-1-05021-5]
22) Моделювання процесів в електронному газі методом Particle-in-cell [05022-1-05022-5]
23) Метод хвильових матриць для моделювання поляризаторів із діафрагмами. Чисельні результати [05023-1-05023-6]
24) Метод математичного синтезу хвилеводних поляризаторів із діафрагмами [05024-1-05024-6]
25) Ab initio дослідження електронних, магнітних та оптичних властивостей шпінелі CuRh2O4: розрахунок з перших принципів [05025-1-05025-5]
26) Епоксидні нанокомпозити з підвищеною гідроабразивною зносостійкістю для використання у транспортних засобах [05026-1-05026-5]
27) Електронна структура кристала ZnS, легованого одним або двома атомами перехідного металу (Cr, Fe) [05027-1-05027-5]
28) Модифікація целюлози наночастинками : від жому цукрової тростини до антимікробного композиту [05028-1-05028-5]
29) Радіаційна функціоналізація плівок поліетиленгліколю з багатостінними вуглецевими нанотрубками [05029-1-05029-5]
30) Застосування автодинного сенсора з підвищеною лінійністю перетворення для реєстрації широкосмугових мультиплетних спектрів ядерного квадрупольного резонансу [05030-1-05030-5]
31) Структура та механічні характеристики катодів з MAX фази Ti2AlC та осаджених іонно-плазмових покриттів [05031-1-05031-7]
32) Технологічні аспекти формування енергоефективних фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії [05033-1-05033-6]
33) Оптична й фотокаталітична активність нанокомпозитів ПАН/TiO2 з наночастинками анатаза і Р25 [05034-1-05034-6]
34) Приготування та характеризація вуглецево-кремнієвих гібридних наноструктур [05035-1-05035-5]
35) Дослідження покращених електрохімічних властивостей нанокомпозиту графен/Fe2O3 [05036-1-05036-5]
36) Кристали InSe, отримані стехіометричним плавленням, для застосування в оптоелектронних пристроях [05037-1-05037-5]
37) Волоконний лазер на основі фазових пластин з електронним управлінням [05038-1-05038-6]
38) Створення прототипу багатофункціонального віддаленого робота присутності для фізичних досліджень у електроніці [05039-1-05039-4]
