Характеристики та електричні параметри сонячних наноелементів з кремнієвих нанодротів

Автори M. Hebali1, 2 , M. Bennaoum1, H.A. Azzeddine1, B. Ibari1, M. Benzohra3, D. Chalabi2
Приналежність

1Department of Electrotechnical, University Mustapha STAMBOULI Mascara, 29000 Mascara, Algeria

2Laboratory CaSiCCe, ENP Oran-MA, 31000 Oran, Algeria

3Department of Networking and Telecommunications, University of Rouen, Laboratory LECAP, 76000, France

Е-mail mourad.hebali@univ-mascara.dz
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 6
Дати Одержано 13 червня 2020; у відредагованій формі 21 грудня 2020; опубліковано online 25 грудня 2020
Посилання M. Hebali, M. Bennaoum, H.A. Azzeddine, et al., Ж. нано- електрон. фіз. 12 №6, 06033 (2020)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06033
PACS Number(s) 81.07.Gf
Ключові слова Кремній (82) , Сонячний наноелемент, Кремнієві нанодроти (SiNWs), Статична характе-ристика, Електричні параметри (6) .
Анотація

Сонячні елементи з кремнієвих нанодротів (SiNWs) стають важливим напрямом наукових досліджень, особливо в галузі нових технологій у фотоелектричній енергетиці. У роботі вивчаються статичні характеристики (I-V, P-V) та різні електричні параметри (ISC, VOC, Imax, Vmax, Pmax та FF) сонячного наноелементу з SiNWs в залежності від кількості нанодротів (n) при кімнатній температурі та під дією глобальних (AM1.5G) спектрів освітлення за допомогою програмного забезпечення 2D-Atlas SILVACO. Результати моделювання показують, що сонячний елемент з кремнієвих нанодротів (SiNWs) характеризується гарними електричними характеристиками та високою продуктивністю. Збільшення кількості нанодротів – це хороша технологія для поліпшення поведінки та електричних характеристик сонячних елементів з SiNWs.

Перелік посилань