Вплив обмеження електрона в подвійній квантовій ямі на екситонні властивості квантового кільця GaSb

Автори	Mohamed Souhail Kehili¹^,², Rihab Sellami¹^,², Afef Ben Mansour¹^,², Adnen Melliti¹^,²
Приналежність	¹Université de Carthage, Institut Préparatoire aux Etudes Scientifiques et Techniques, Laboratoire Matèriaux-Molécules et Applications, BP51 La Marsa 2070, Tunisia ²Université de Tunis, Ecole Nationale Supérieure des Ingénieurs de Tunis, 5 Rue Taha Hussein Montfleury, 1008 Tunis, Tunisia
Е-mail	adnenmelliti@yahoo.fr
Випуск	Том 12, Рік 2020, Номер 6
Дати	Одержано 09 липня 2020; у відредагованій формі 15 грудня 2020; опубліковано online 25 грудня 2020
Посилання	Mohamed Souhail Kehili, Rihab Sellami, Afef Ben Mansour, Adnen Melliti, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 6, 06002 (2020)
DOI	https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06002
PACS Number(s)	7865K, 7320D
Ключові слова	Екситон (11) , Квантове кільце, Наближення ефективної маси, Наближення Хартрі (2) , (2822) .
Анотація	Ми теоретично вивчали еволюційні екситонні властивості квантового кільця GaSb, розташованого всередині подвійної квантової ями AlAs/GaAs/InGaAs/AlAs, залежно від товщин ям (GaAs та InGaAs). Квантове кільце розміщують між ямами. У цій наноструктурі II типу дірка утримується всередині квантового кільця, а електрон обмежується шарами GaAs та InGaAs. Діркові та електронні стани були обчислені з використанням ефективної маси та наближень Хартрі. Потім розраховували енергію екситону, енергію зв'язку та тривалість життя. Ми виявили, що змінюючи товщину ями можна контролювати локалізацію електронної хвильової функції. Дійсно, вона може бути вище або нижче квантового кільця в залежності від товщин шарів GaAs та InGaAs. Це має важливий вплив на перекриття електронної хвильової функції із хвильовою функцією дірки, яка обмежена квантовим кільцем. Отже, ми можемо керувати екситонними властивостями, такими як енергія, енергія зв'язку та тривалість життя, шляхом перекриття електронних та діркових хвильових функцій. Таким чином, досліджувані системи можуть бути використані в регульованих нано-оптоелектронних пристроях. Крім того, використання шару InGaAs як шару покриття квантового кільця замість шару GaAs, як у звичайному квантовому кільці, дозволяє зберегти вихідні властивості цієї наноструктури до осадження шару покриття.
	Перелік посилань Повний текст Переклад англійською

Інші статті цього номера

1) Аналіз самонагрівання SiGe HBT, призначеного для ВЧ-застосувань, за процентним вмістом германію [06001-1-06001-5]
2) Можливості керування динамічними властивостями циліндричного п'єзокерамічного акустоелектронного пристрою з двочастотним резонансним збудженням [06003-1-06003-6]
3) Порівняння продуктивності недорогих сонячних елементів TiO2 та ZnO, сенсибілізованих за допомогою кумарину C343 [06004-1-06004-6]
4) Вплив температури вакуумного відпалу на бінарну систему Ni/Si(100) [06005-1-06005-5]
5) Моделювання та аналіз продуктивності транзисторів GAA SNSTFT із затвором з потрійним матеріалом [06006-1-06006-4]
6) Покращена продуктивність інтегрованого піроелектричного інфрачервоного детектора на гнучкій підкладці: моделювання та симуляція [06007-1-06007-4]
7) Теоретичне прогнозування деяких фізичних властивостей трикомпонентних сплавів BxAl1 – xSb [06008-1-06008-5]
8) Вплив заміщення Mn2+ на оптичні властивості нових наночастинок CaLi2O2, синтезованих методом золь-гелю [06009-1-06009-5]
9) Нова широкосмугова частково відбиваюча поверхня для покращення коефіцієнта посилення антени [06010-1-06010-4]
10) Обробка воднем плазмонного резонансного датчика [06011-1-06011-6]
11) Числове моделювання параметрів польових транзисторів GAA SiNWFET на основі нанодротів [06012-1-06012-4]
12) Теоретичне вивчення електронних властивостей нікелевих кластерів [06013-1-06013-5]
13) A New Approach for One-step Synthesis of Perovskite:fullerene Bulk Heterojunction Using Surfactant Free Microemulsion in Slot Die Method [06014-1-06014-7]
14) Вдосконалення фізичної моделі сонячних елементів на основі GaAs [06015-1-06015-6]
15) Метастабільні стани і фізичні властивості збагачених бором W-B плівок [06016-1-06016-5]
16) Три-стадійна кінетична модель для самозагасаючих дефектів в крихких твердих тілах [06017-1-06017-6]
17) Конвергентний підхід до ідентифікації перехідних станів динамічної системи [06018-1-06018-4]
18) Врахування поправок при дослідженні властивостей речовин рентгенівським методом [06019-1-06019-5]
19) Електротермомеханічне тертя мокрих деталей автомобільних дисково-колодкових гальм [06020-1-06020-8]
20) Оперативний розрахунок напруги проколу бази дрейфових n-p-n транзисторів в інверсному режимі роботи [06021-1-06021-4]
21) Визначення рефрактивних параметрів в кристалі Tl3TaS4 [06022-1-06022-4]
22) Структура та транспортні властивості одностінних вуглецевих нанотрубок, модифікованих кобальт-вмісними комплексами [06023-1-06023-7]
23) Структура, морфологія та електропровідні властивості Sn-легованого ТіО2 [06024-1-06024-7]
24) Вплив гомогенізації на проявлення надпластичності і мікронадпластичності алюмінієвого сплаву системи Al-Zn-Mg-Cu [06025-1-06025-8]
25) Метод хвильових матриць для моделювання хвилеводних поляризаторів із діафрагмами. Теорія [06026-1-06026-5]
26) Еволюція нанокристалічної структури кобальту при відпалі [06027-1-06027-6]
27) Динаміка зважених наночастинок у змінному в часіградієнтному магнітному полі: Аналітичні результати [06028-1-06028-5]
28) Аналітичне та чисельне вивчення енергетичного спектру надрешітки, що складається із смуг одношарового та двошарового графена [06029-1-06029-5]
29) Взаємодія електронів з акустичними фононами у AlAs/GaAlAs резонансно-тунельних наноструктурах [06030-1-06030-8]
30) Моделювання поведінки тріснутої головки плечового протеза [06031-1-06031-4]
31) Оптичні властивості Hg1 – xMnxS, Hg1 – x – уMnxFеуS, Hg1 – x – уMnxFеуSe1 – zSz [06032-1-06032-5]
32) Характеристики та електричні параметри сонячних наноелементів з кремнієвих нанодротів [06033-1-06033-4]
33) Оптимізація складу та процесу отримання гарячепресованої кераміки з підвищеними характеристиками на основі карбіду бору [06034-1-06034-5]
34) Оптимізація регульованого фільтра на фотонних кристалах для грубого мультиплексування з поділом по довжині хвилі [06035-1-06035-4]
35) Теоретичне дослідження вдосконалення продуктивності сонячних елементів на основі CIGS [06036-1-06036-4]
36) Генерація терагерцових коливань діодами з резонансно-тунельними границями [06037-1-06037-4]
37) Новий розчин для електрохімічної модифікації поверхні титану [06038-1-06038-8]
38) Дослідження морфології нанопористої структури і елементного складу гранул органо-мінеральних добрив [06039-1-06039-5]