Оптичні властивості Hg1 – xMnxS, Hg1 – x – уMnxFеуS, Hg1 – x – уMnxFеуSe1 – zSz

Автори Г.О. Андрущак, П.Д. Марянчук
Приналежність

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012 Чернівці, Україна

Е-mail g.andrushchak@chnu.edu.ua
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 6
Дати Одержано 1 червня 2020; у відредагованій формі 19 грудня 2020; опубліковано online 25 грудня 2020
Посилання Г.О. Андрущак, П.Д. Марянчук, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 6, 06032 (2020)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06032
PACS Number(s) 73.61.Le, 81.40.Tv
Ключові слова Напівпровідник (48) , Халькогеніди ртуті, Ефективна маса (2) , Показник заломлення (11) , Оптична ширина забороненої зони (6) .
Анотація

В роботі проведено дослідження оптичних властивостей кристалів Hg1 – xMnxS, Hg1 – x – уMnxFеуS, Hg1 – x – уMnxFеуSe1 – zSz. Напівмагнітні напівпровідникові тверді розчини Hg1 – xMnxS, Hg1 – x – уMnxFеуS, Hg1 – x – уMnxFеуSe1 – zSz (область існування яких 0 < х ≤ 0,375), одержані методом Бріджмена, володіють провідністю n-типу (концентрація електронів n ~ 1018см – 3). Тверді розчини Hg1 – xMnxS, Hg1 – x – уMnxFеуS та Hg1 – x – уMnxFеуSe1 – zSz є напівпровідниками із змінною в залежності від складу шириною забороненої зони (Eg) і належать до напівмагнітних напівпровідників. Наявність в кристалах атомів Mn із нескомпенсованим магнітним моментом дає можливість контролювати склад (х). На основі досліджень коефіцієнту відбивання визначені показники заломлення і ефективна маса електронів на рівні Фермі для Hg1 – xMnxS, Hg1 – x – уMnxFеуS. Дослідження спектрів пропускання проведено при кімнатній температурі T  300 K. Визначена оптична ширина забороненої зони досліджуваних напівпровідників і встановлені домінуючі механізми розсіювання електронів. Показано, що в досліджуваних кристалах наявні прямі міжзонні оптичні переходи.

Перелік посилань