Моделювання та аналіз продуктивності транзисторів GAA SNSTFT із затвором з потрійним матеріалом
| Автори | Jenyfal Sampson, P. Sivakumar, S.P. Velmurugan |
| Приналежність |
Department of Electronics and Communication Engineering, Kalasalingam Academy of Research and Education, Krishnankoil, Tamilnadu, India |
| Е-mail | siva@klu.ac.in |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 6 |
| Дати | Одержано 01 серпня 2020; у відредагованій формі 19 грудня 2020; опубліковано online 25 грудня 2020 |
| Посилання | Jenyfal Sampson, P. Sivakumar, S.P. Velmurugan, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 6, 06006 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(6).06006 |
| PACS Number(s) | 85.30.Tv |
| Ключові слова | Затвор з потрійним матеріалом (TM), SNS GAATFT, Робота виходу (7) , Електричний (46) . |
| Анотація |
У роботі запропоновано до розгляду транзистор SNS GAATFT з потрійним матеріалом (TM). TM тонкоплівкового транзистора (TFT) варіюється шляхом застосування трьох різних робіт виходу за рахунок використання різних матеріалів затворів. Транзистор, розглянутий у роботі, є р-канальним пристроєм. Аналіз проведено з використанням фізичної моделі – температурної залежності переносу носіїв заряду (DD). Модель мобільності (MM) включає ефекти концентрації легування та електричного поля, модель звуження забороненої зони (BNM) та модель рекомбінації Шоклі-Ріда-Холла (SRM) стосуються тривалості життя носія. Програмний продукт Synopsys Sentaurus TCAD був використаний для моделювання запропонованої моделі та аналізу її характеристик. Характеристики запропонованої моделі з TM були порівняні з характеристиками запропонованої раніше моделі SNS GAATFT з одинарним матеріалом (SM). Для запропонованої моделі перша та третя роботи виходу (WFs) підтримувались незмінними, тоді як WF середньої області варіювалася між першою та третьою WFs. Проаналізовані вихідні характеристики довели кращий результат для значень WF, найближчих до третьої WF. Таким чином, для визначення різних характеристик було використано більш високе значення середньої WF. З аналізу характеристик видно, що внаслідок різних електричних потенціалів на електроді затвору через різні WF, вплив швидкісного електрона, що рухається, зменшується з боку джерела, і це сприяє підвищенню ефективності переносу носіїв заряду і, отже, в свою чергу, допомагає зменшити ефекти гарячих носіїв. Результат порівняння показує, що струм стоку в моделі TM виявляється майже в 4 рази вищим, ніж в моделі SM, яка показує більше покращення струму ION. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Аналіз самонагрівання SiGe HBT, призначеного для ВЧ-застосувань, за процентним вмістом германію [06001-1-06001-5]2) Вплив обмеження електрона в подвійній квантовій ямі на екситонні властивості квантового кільця GaSb [06002-1-06002-5]
3) Можливості керування динамічними властивостями циліндричного п'єзокерамічного акустоелектронного пристрою з двочастотним резонансним збудженням [06003-1-06003-6]
4) Порівняння продуктивності недорогих сонячних елементів TiO2 та ZnO, сенсибілізованих за допомогою кумарину C343 [06004-1-06004-6]
5) Вплив температури вакуумного відпалу на бінарну систему Ni/Si(100) [06005-1-06005-5]
6) Покращена продуктивність інтегрованого піроелектричного інфрачервоного детектора на гнучкій підкладці: моделювання та симуляція [06007-1-06007-4]
7) Теоретичне прогнозування деяких фізичних властивостей трикомпонентних сплавів BxAl1 – xSb [06008-1-06008-5]
8) Вплив заміщення Mn2+ на оптичні властивості нових наночастинок CaLi2O2, синтезованих методом золь-гелю [06009-1-06009-5]
9) Нова широкосмугова частково відбиваюча поверхня для покращення коефіцієнта посилення антени [06010-1-06010-4]
10) Обробка воднем плазмонного резонансного датчика [06011-1-06011-6]
11) Числове моделювання параметрів польових транзисторів GAA SiNWFET на основі нанодротів [06012-1-06012-4]
12) Теоретичне вивчення електронних властивостей нікелевих кластерів [06013-1-06013-5]
13) A New Approach for One-step Synthesis of Perovskite:fullerene Bulk Heterojunction Using Surfactant Free Microemulsion in Slot Die Method [06014-1-06014-7]
14) Вдосконалення фізичної моделі сонячних елементів на основі GaAs [06015-1-06015-6]
15) Метастабільні стани і фізичні властивості збагачених бором W-B плівок [06016-1-06016-5]
16) Три-стадійна кінетична модель для самозагасаючих дефектів в крихких твердих тілах [06017-1-06017-6]
17) Конвергентний підхід до ідентифікації перехідних станів динамічної системи [06018-1-06018-4]
18) Врахування поправок при дослідженні властивостей речовин рентгенівським методом [06019-1-06019-5]
19) Електротермомеханічне тертя мокрих деталей автомобільних дисково-колодкових гальм [06020-1-06020-8]
20) Оперативний розрахунок напруги проколу бази дрейфових n-p-n транзисторів в інверсному режимі роботи [06021-1-06021-4]
21) Визначення рефрактивних параметрів в кристалі Tl3TaS4 [06022-1-06022-4]
22) Структура та транспортні властивості одностінних вуглецевих нанотрубок, модифікованих кобальт-вмісними комплексами [06023-1-06023-7]
23) Структура, морфологія та електропровідні властивості Sn-легованого ТіО2 [06024-1-06024-7]
24) Вплив гомогенізації на проявлення надпластичності і мікронадпластичності алюмінієвого сплаву системи Al-Zn-Mg-Cu [06025-1-06025-8]
25) Метод хвильових матриць для моделювання хвилеводних поляризаторів із діафрагмами. Теорія [06026-1-06026-5]
26) Еволюція нанокристалічної структури кобальту при відпалі [06027-1-06027-6]
27) Динаміка зважених наночастинок у змінному в часіградієнтному магнітному полі: Аналітичні результати [06028-1-06028-5]
28) Аналітичне та чисельне вивчення енергетичного спектру надрешітки, що складається із смуг одношарового та двошарового графена [06029-1-06029-5]
29) Взаємодія електронів з акустичними фононами у AlAs/GaAlAs резонансно-тунельних наноструктурах [06030-1-06030-8]
30) Моделювання поведінки тріснутої головки плечового протеза [06031-1-06031-4]
31) Оптичні властивості Hg1 – xMnxS, Hg1 – x – уMnxFеуS, Hg1 – x – уMnxFеуSe1 – zSz [06032-1-06032-5]
32) Характеристики та електричні параметри сонячних наноелементів з кремнієвих нанодротів [06033-1-06033-4]
33) Оптимізація складу та процесу отримання гарячепресованої кераміки з підвищеними характеристиками на основі карбіду бору [06034-1-06034-5]
34) Оптимізація регульованого фільтра на фотонних кристалах для грубого мультиплексування з поділом по довжині хвилі [06035-1-06035-4]
35) Теоретичне дослідження вдосконалення продуктивності сонячних елементів на основі CIGS [06036-1-06036-4]
36) Генерація терагерцових коливань діодами з резонансно-тунельними границями [06037-1-06037-4]
37) Новий розчин для електрохімічної модифікації поверхні титану [06038-1-06038-8]
38) Дослідження морфології нанопористої структури і елементного складу гранул органо-мінеральних добрив [06039-1-06039-5]
