Вплив матеріалів верхнього електрода на комутаційні характеристики та властивості витривалості пристрою RRAM на основі оксиду цинку

Автори Chandra Prakash Gupta1, Praveen K. Jain2, Umesh Chand3, Shashi Kant Sharma4, Shilpi Birla1, Sandeep Sancheti5
Приналежність

1 Department of Electronics and Communication Engineering, Manipal University Jaipur-303007, Rajasthan, India

2 Department of Electronics and Communication Engineering, Swami Keshvanand Institute of Technology, Management & Gramothan, Jaipur, India

3 Department of Computer Science and Electronics Engineering, National University of Singapore, Singapore

4 Department of Electronics and Communication Engineering, Indian Institute of Information Technology, Ranchi, Jharkhand, India

5 SRM Institute of Science and Technology, Chennai, Tamilnadu 603203, India

Е-mail cp106@rediffmail.com
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 1
Дати Одержано 18 листопада 2019; у відредагованій формі 15 лютого 2020; опубліковано online 25 лютого 2020
Посилання Chandra Prakash Gupta, Praveen K. Jain, Umesh Chand, et al., J. Nano- Electron. Phys. 12 No 1, 01007 (2020)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.12(1).01007
PACS Number(s) 85.25.Hv, 77.80.Fm, 81.15.Pq, 77.55.hf
Ключові слова RRAM (3) , Комутаційні характеристики, Верхній електрод, ZnO (88) .
Анотація

У роботі повідомляється про вплив матеріалів верхнього електрода, тобто Al, Ag та Ti, на комутаційні характеристики резистивних пристроїв пам'яті з випадковим доступом (RRAM) на основі тонкої плівки оксиду цинку (ZnO). Пристрої RRAM зі структурою електрода Si/Pt/Ti/ZnO/Top (Al або Ag або Ti) були успішно виготовлені, і були виміряні їх комутаційні характеристики. Структурні властивості тонкої плівки оксиду металу ZnO вивчалися з використанням рентгенівського дифрактометра (XRD), атомно-силової мікроскопії (AFM) та скануючого електронного мікроскопа (SEM). Комутаційні характеристики виготовлених пристроїв визначали за допомогою кривих I-V, які отримували за допомогою напівпровідникового аналізатора параметрів. Було помічено, що виготовлені пристрої виявляли біполярні властивості. Структура Si/Pt/Ti/ZnO/Ag показала найкращу витривалість до 103 циклів. Крім того, вимірювання утримуючих властивостей при кімнатній температурі проводилося також для структурованого пристрою Si/Pt/Ti/ZnO/Ag, що підтверджує енергонезалежні властивості вироблених пристроїв. Співвідношення станів низького опору (LRS) та високого опору (HRS) було встановлено максимальним для верхнього електрода Ag до 102. Помічено, що струми LRS та HRS пристрою не погіршуються до 104 с.

Перелік посилань