Застосування додаткового процесу згладжування дрейфу для поліпшення електрофізичних параметрів p-i-n структур Si (Li) великих розмірів

Автори R.A. Muminov1, G.J. Ergashev1, A.K. Saymbetov2, Yo.K. Toshmurodov3, S.A. Radzhapov1, A.A. Mansurova2, N.M. Japashov2, Y.A. Svanbayev2
Приналежність

1 Physical-Technical Institute, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent 100084, Uzbekistan

2 Al-Farabi Kazakh National University, Almaty 050000, Kazakhstan

3 Tashkent Institute of Irrigation and Agricultural Mechanization Engineers, Tashkent 100000, Uzbekistan

Е-mail asaymbetov@gmail.com
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 1
Дати Одержано 31 жовтня 2019; у відредагованій формі 15 лютого 2020; опубліковано online 25 лютого 2020
Посилання R.A. Muminov, G.J. Ergashev, A.K. Saymbetov та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 1, 01006 (2020)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.12(1).01006
PACS Number(s) 6170T, 6610C, 7630D
Ключові слова Дифузія Li (2) , p-i-n структури Si (Li), Дрейф Li, Додатковий дрейф, p-i-n детектори Si (Li).
Анотація

Розробка детекторів Si (Li) великих розмірів (з діаметром чутливої області більше 110 мм), з високою енергією та точністю позиціонування, лінійністю сигналів у широкому енергетичному діапазоні для альфа, бета та гамма-частинок все ще залишається досить складною проблемою. У роботі пропонується технологія вдосконалення процедури виготовлення структурованих p-i-n детекторів Si (Li). Ми розглядаємо метод додаткового «згладжування» дрейфу до вже підготовлених детекторів Si (Li), щоб досягти рівномірно скомпенсованої чутливої області по всьому об'єму та згладити локальні ділянки нескомпенсованих областей детекторів при певній температурі та електричному полі. Отримані експериментальні результати показують, що проведення додаткового процесу «згладжування» дрейфу забезпечує рівномірний розподіл іонів літію в кремнії і є однією з основних технологічних операцій. Вибір температурно-часового режиму «згладжування» дрейфу залежить від питомого опору вихідного матеріалу. Тому для детекторів, отриманих на основі монокристалічного кремнію p-типу з високим опором (отриманим методом поплавкової зони) та низьким опором (отриманим методом Чохральського), було проведено додаткове «згладжування» дрейфу та порівняно їх електрофізичні реакції. Отже, було визначено, що для матеріалів з низьким опором «згладжування» дрейфу є більш ефективним.

Перелік посилань