Застосування додаткового процесу згладжування дрейфу для поліпшення електрофізичних параметрів p-i-n структур Si (Li) великих розмірів
| Автори | R.A. Muminov1, G.J. Ergashev1, A.K. Saymbetov2, Yo.K. Toshmurodov3, S.A. Radzhapov1, A.A. Mansurova2, N.M. Japashov2, Y.A. Svanbayev2 |
| Афіліація |
1 Physical-Technical Institute, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent 100084, Uzbekistan 2 Al-Farabi Kazakh National University, Almaty 050000, Kazakhstan 3 Tashkent Institute of Irrigation and Agricultural Mechanization Engineers, Tashkent 100000, Uzbekistan |
| Е-mail | asaymbetov@gmail.com |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 1 |
| Дати | Одержано 31 жовтня 2019; у відредагованій формі 15 лютого 2020; опубліковано online 25 лютого 2020 |
| Цитування | R.A. Muminov, G.J. Ergashev, A.K. Saymbetov та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 1, 01006 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(1).01006 |
| PACS Number(s) | 6170T, 6610C, 7630D |
| Ключові слова | Дифузія Li (2) , p-i-n структури Si (Li), Дрейф Li, Додатковий дрейф, p-i-n детектори Si (Li). |
| Анотація |
Розробка детекторів Si (Li) великих розмірів (з діаметром чутливої області більше 110 мм), з високою енергією та точністю позиціонування, лінійністю сигналів у широкому енергетичному діапазоні для альфа, бета та гамма-частинок все ще залишається досить складною проблемою. У роботі пропонується технологія вдосконалення процедури виготовлення структурованих p-i-n детекторів Si (Li). Ми розглядаємо метод додаткового «згладжування» дрейфу до вже підготовлених детекторів Si (Li), щоб досягти рівномірно скомпенсованої чутливої області по всьому об'єму та згладити локальні ділянки нескомпенсованих областей детекторів при певній температурі та електричному полі. Отримані експериментальні результати показують, що проведення додаткового процесу «згладжування» дрейфу забезпечує рівномірний розподіл іонів літію в кремнії і є однією з основних технологічних операцій. Вибір температурно-часового режиму «згладжування» дрейфу залежить від питомого опору вихідного матеріалу. Тому для детекторів, отриманих на основі монокристалічного кремнію p-типу з високим опором (отриманим методом поплавкової зони) та низьким опором (отриманим методом Чохральського), було проведено додаткове «згладжування» дрейфу та порівняно їх електрофізичні реакції. Отже, було визначено, що для матеріалів з низьким опором «згладжування» дрейфу є більш ефективним. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Механічна електроосадженого покриття із сплаву Ni-P [01001-1-01001-5]2) New Biosensor Design Based on Photonic Crystal Core-shell Rods Defects for Detecting Glucose Concentration [01002-1-01002-4]
3) Процес Лібмана для розподілу інформаційних потоків систем автоматичного керування двигуном [01003-1-01003-5]
4) Монітор профілю низькоенергетичного електронного пучка [01004-1-01004-5]
5) Формування та фізичні властивості багатокомпонентних покриттів, отриманих шляхом розпилення складеної мішені з Co-Cr-Ni-Ti-Zr-Hf-Ta-W-C [01005-1-01005-6]
6) Вплив матеріалів верхнього електрода на комутаційні характеристики та властивості витривалості пристрою RRAM на основі оксиду цинку [01007-1-01007-6]
7) Вертикальна еліптична полоскова недіагональна антена з кільцевим отвором для мікрохвильового зображення молочної залози [01008-1-01008-4]
8) Оптична характеристика хімічно відновлених наночастинок срібла для сонячних елементів, чутливих до барвника [01009-1-01009-4]
9) Вплив інтенсивної пластичної деформації на фазові співвідношення нанокристалів кобальту [01010-1-01010-6]
10) Вплив корелюючих кольорових шумів на довгий Джозефсонівський контакт [01011-1-01011-5]
11) Нановуглецеві матеріали рослинного походження для суперконденсаторів [01012-1-01012-6]
12) Структурно-морфологічні та електропровідні властивості композиційних матеріалів С-Al2O3 [01013-1-01013-6]
13) Діодний лазер як електронна система хірургічного впливу на м’які біологічні тканини [01014-1-01014-4]
14) Діоди Ганна на основі варизонного GaInPAs [01015-1-01015-9]
15) Підвищення теплової продуктивності SSP, заповненого нанорідиною [01016-1-01016-5]
16) Вплив на інфрачервоні спектральні, структурні та морфологічні властивості наночастинок , осаджених за кімнатної температури [01017-1-01017-4]
17) Магнітокалоричний ефект у метамагнітному сплаві з ефектом пам'яті форми [01018-1-01018-4]
18) Вирощування і властивості кристалів PbI2, легованих Cd [01019-1-01019-5]
19) Аналіз різних біопотенційних електродів, що використовуються для електроміографії [01020-1-01020-7]
20) Електронні властивості тетратеніту L10 FeNi в умовах земного ядра [01021-1-01021-6]
21) Отримання, структура і властивості покриттів на основі Al2O3, отримані магнетронним методом [01022-1-01022-4]
22) Фото-ЕРС на поверхнях Si та SiGe при сонохімічній обробці у дихлорметані [01023-1-01023-4]
23) Вплив конфігурації переходу на продуктивність сонячних елементів In2S3/CZTS [01024-1-01024-3]
24) Синтез та характеристика наночастинок композиту Ce-Fe методом золь-гелю [01025-1-01025-3]
25) Передумови створення комірки пам’яті нового типу «біт + кубіт» на основі нанорозмірних структурних неоднорідностей доменних стінок, утворених в одновісних феромагнітних плівках [01026-1-01026-2]
26) Оптичні властивості плівки: експериментальні та теоретичні аспекти [01027-1-01027-4]
