Вплив конфігурації переходу на продуктивність сонячних елементів In2S3/CZTS
| Автори | B. Zaidi1, C. Shekhar2 , K. Kamli3, Z. Hadef3, S. Belghit1 , M.S. Ullah4 |
| Афіліація |
1 Department of Physics, Faculty of Material Sciences, University of Batna 1, Batna, Algeria 2 Department of Applied Physics, Amity University Gurgaon, 122413 Haryana, India 3 Department of Physics, Faculty of Sciences, Université 20 août 1955, BP 26, 21000 Skikda, Algeria 4 Department of Electrical and Computer Engineering, Florida Polytechnic University, Lakeland, USA |
| Е-mail | zbeddiaf@gmail.com |
| Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 1 |
| Дати | Одержано 17 вересня 2019; у відредагованій формі 15 лютого 2020; опубліковано online 25 лютого 2020 |
| Цитування | B. Zaidi, C. Shekhar, K. Kamli, et al., J. Nano- Electron. Phys. 12 No 1, 01024 (2020) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(1).01024 |
| PACS Number(s) | 84.60.Jt, 88.40.jm |
| Ключові слова | In2S3, Сонячні елементи (17) , CZTS (14) , SCAPS-1D (22) . |
| Анотація |
У роботі представлено чисельне моделювання сонячних елементів на основі CZTS з використанням одновимірної програми моделювання сонячних елементів, яка називається симулятором ємності сонячного елементу (SCAPS). Було вивчено вплив товщини буферного шару In2S3 та густини природних дефектів на продуктивність та характеристики J-V сонячних елементів на основі CZTS. Результати моделювання показують, що оптимальна товщина буферного шару In2S3 становить 50 нм. Було виявлено, що густина дефектів ідеальна від 1015 до 1017 см – 3. Оптимальні фотоелектричні параметри були досягнуті з ефективністю 20,95 % при JSC ( 26,85 мА/см2 та VOC ( 0,78 В. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Механічна електроосадженого покриття із сплаву Ni-P [01001-1-01001-5]2) New Biosensor Design Based on Photonic Crystal Core-shell Rods Defects for Detecting Glucose Concentration [01002-1-01002-4]
3) Процес Лібмана для розподілу інформаційних потоків систем автоматичного керування двигуном [01003-1-01003-5]
4) Монітор профілю низькоенергетичного електронного пучка [01004-1-01004-5]
5) Формування та фізичні властивості багатокомпонентних покриттів, отриманих шляхом розпилення складеної мішені з Co-Cr-Ni-Ti-Zr-Hf-Ta-W-C [01005-1-01005-6]
6) Застосування додаткового процесу згладжування дрейфу для поліпшення електрофізичних параметрів p-i-n структур Si (Li) великих розмірів [01006-1-01006-5]
7) Вплив матеріалів верхнього електрода на комутаційні характеристики та властивості витривалості пристрою RRAM на основі оксиду цинку [01007-1-01007-6]
8) Вертикальна еліптична полоскова недіагональна антена з кільцевим отвором для мікрохвильового зображення молочної залози [01008-1-01008-4]
9) Оптична характеристика хімічно відновлених наночастинок срібла для сонячних елементів, чутливих до барвника [01009-1-01009-4]
10) Вплив інтенсивної пластичної деформації на фазові співвідношення нанокристалів кобальту [01010-1-01010-6]
11) Вплив корелюючих кольорових шумів на довгий Джозефсонівський контакт [01011-1-01011-5]
12) Нановуглецеві матеріали рослинного походження для суперконденсаторів [01012-1-01012-6]
13) Структурно-морфологічні та електропровідні властивості композиційних матеріалів С-Al2O3 [01013-1-01013-6]
14) Діодний лазер як електронна система хірургічного впливу на м’які біологічні тканини [01014-1-01014-4]
15) Діоди Ганна на основі варизонного GaInPAs [01015-1-01015-9]
16) Підвищення теплової продуктивності SSP, заповненого нанорідиною [01016-1-01016-5]
17) Вплив на інфрачервоні спектральні, структурні та морфологічні властивості наночастинок , осаджених за кімнатної температури [01017-1-01017-4]
18) Магнітокалоричний ефект у метамагнітному сплаві з ефектом пам'яті форми [01018-1-01018-4]
19) Вирощування і властивості кристалів PbI2, легованих Cd [01019-1-01019-5]
20) Аналіз різних біопотенційних електродів, що використовуються для електроміографії [01020-1-01020-7]
21) Електронні властивості тетратеніту L10 FeNi в умовах земного ядра [01021-1-01021-6]
22) Отримання, структура і властивості покриттів на основі Al2O3, отримані магнетронним методом [01022-1-01022-4]
23) Фото-ЕРС на поверхнях Si та SiGe при сонохімічній обробці у дихлорметані [01023-1-01023-4]
24) Синтез та характеристика наночастинок композиту Ce-Fe методом золь-гелю [01025-1-01025-3]
25) Передумови створення комірки пам’яті нового типу «біт + кубіт» на основі нанорозмірних структурних неоднорідностей доменних стінок, утворених в одновісних феромагнітних плівках [01026-1-01026-2]
26) Оптичні властивості плівки: експериментальні та теоретичні аспекти [01027-1-01027-4]
