Автори | А.Б. Шевченко1 , М.Ю. Барабаш2 |
Афіліація |
1 Інститут металофізики імені Г.В. Курдюмова НАН України, бульвар Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна 2 Технічний центр НАН України, вул. Покровська, 13, 04070 Київ, Україна |
Е-mail | mbarabash@nasu.kiev.ua |
Випуск | Том 12, Рік 2020, Номер 1 |
Дати | Одержано 18 вересня 2019; у відредагованій формі 15 лютого 2020; опубліковано online 25 лютого 2020 |
Цитування | А.Б. Шевченко1, М.Ю. Барабаш, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 1, 01026 (2020) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.12(1).01026 |
PACS Number(s) | 75.70.kw, 75.45. + j |
Ключові слова | Одновісна феромагнітна плівка, Доменна стінка (3) , Вертикальна блохівська лінія (3) , Квантові коливання, Комірка пам’яті «біт + кубіт». |
Анотація |
Запропоновано комірку пам’яті нового типу «біт + кубіт» на основі вертикальних блохівськіх ліній, що знаходяться в доменній стінці смугового магнітного домену, утвореного в одновісній феромагнітній плівці із сильною магнітною анізотропією. Даний результат відкриває перспективи створення запам’ятовувальних пристроїв як з квантовим, так і «класичним» режимами запису інформації. |
Перелік посилань |