Передумови створення комірки пам’яті нового типу «біт + кубіт» на основі нанорозмірних структурних неоднорідностей доменних стінок, утворених в одновісних феромагнітних плівках

Автори А.Б. Шевченко1 , М.Ю. Барабаш2
Приналежність

1 Інститут металофізики імені Г.В. Курдюмова НАН України, бульвар Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна

2 Технічний центр НАН України, вул. Покровська, 13, 04070 Київ, Україна

Е-mail mbarabash@nasu.kiev.ua
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 1
Дати Одержано 18 вересня 2019; у відредагованій формі 15 лютого 2020; опубліковано online 25 лютого 2020
Посилання А.Б. Шевченко1, М.Ю. Барабаш, Ж. нано- електрон. фіз. 12 № 1, 01026 (2020)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.12(1).01026
PACS Number(s) 75.70.kw, 75.45. + j
Ключові слова Одновісна феромагнітна плівка, Доменна стінка (3) , Вертикальна блохівська лінія (3) , Квантові коливання, Комірка пам’яті «біт + кубіт».
Анотація

Запропоновано комірку пам’яті нового типу «біт + кубіт» на основі вертикальних блохівськіх ліній, що знаходяться в доменній стінці смугового магнітного домену, утвореного в одновісній феромагнітній плівці із сильною магнітною анізотропією. Даний результат відкриває перспективи створення запам’ятовувальних пристроїв  як з квантовим, так і «класичним» режимами запису інформації.

Перелік посилань