Вирощування і властивості кристалів PbI2, легованих Cd

Кристалізацією з парової фази у закритій системі при тиску парів надстехіометричного йоду одержані монокристали PbI2 з вмістом кадмію 0,00110ат.%. Досліджено вплив концентрації кадмію у вихідній шихті і температурного градієнту на швидкість масоперенесення в системі та характеристики кристалів. Введення у систему PbI2-I2 кадмію в діапазоні концентрацій від 0,001 до 0,5ат.% при оптимальних умовах вирощування чистих кристалів PbI2 зменшує швидкість масоперенесення не більше ніж на 2%, концентрація Cd у вирощених монокристалах одного порядку з їх вмістом у вихідній шихті. Збільшення вмісту домішки у шихті від 0,5 до 5,5ат.% зменшує швидкість масоперенесення вдвічі, вміст кадмію у монокристалах у 5 разів нижчий ніж у шихті, розміри монокристалів зменшуються. Зниження температурного градієнту в системі дозволило отримати кристали PbI2 з вмістом кадмію до 10ат.%. Легування Cd сприяє росту монокристалів переважно у формі пластин і стрічок. За спектрами дифракції Х-променів встановлено, що одержані монокристали PbI2 належать до 4Н-политипу, визначені параметри гратки і об’єм елементарної комірки чистих і легованих кристалів. Встановлено вплив домішки Cd на спектри поглинання PbI2. Зростання вмісту кадмію у кристалах до 3ат.% супроводжується короткохвильовим зсувом краю власного поглинання і збільшенням ширини забороненої зони.