Квантовое столкновение двух вертикальных блоховских линий в доменной границе одноосной ферромагнитной пленки
| Автори | А.Б. Шевченко1 , М.Ю. Барабаш2 |
| Афіліація |
1Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03680 Київ-142, Україна 2Технічний центр НАН України, ул. Покровська, 13, 04070 Київ, Україна |
| Е-mail | andborshev@ukr.net |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 4 |
| Дати | Одержано 17.03.2018; у відредагованій формі 14.08.2018; опубліковано online 25.08.2018 |
| Цитування | А.Б. Шевченко, М.Ю. Барабаш, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 4, 04026 (2018) |
| DOI | http://dx.doi.org/10.21272/jnep.10(4).04026 |
| PACS Number(s) | 75.70.kw:75.45 + j |
| Ключові слова | Магнітна плівка (6) , Смуговий домен, Доменна стінка (3) , Вертикальна блохівська лінія (3) , Підбар’єрне проходження. |
| Анотація |
На основі квазікласичного наближення вивчено процес підбар’єрного проходження один через одного малих ділянок довжини двох однополярних вертикальних блохівських ліній (нанорозмірних солітонів типу “пергин”), що знаходяться в доменній стінці ізольованого смугового домену, утвореного в одновісній феромагнітній плівці з сильною магнітною анізотропією. Показано, що даний ефект має місце завдяки врахуванню їх квантових осциляцій, які збурюються зовнішнім магнітним полем у субгєлієвому діапазоні температур. Визначені умови здійснення цього явища. Встановлено, що підбар’єрне проходження один через одного двох вертикальних блохівських ліній відбувається у більш сильних магнітних полях, ніж відповідне тунелювання їх малих сегментів довжини. Показано також, що збільшення магнітної анізотропії плівки призводить до зменшення значень магнітних полів, в яких протікає даний квантовий процес. Отриманий результат являє практичний інтерес у контексті створення комірки пам’яті для запам’ятовуючого пристрою гібридного типу біт+кубіт на основі вертикальних блохівських ліній. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Impact of Sputtering Pressure on Structural, Optical, Electrical and Morphological Properties of Titanium Doped Zinc Oxide Thin films Using Metallic Target [04001-1-04001-5]2) Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних нано-структурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 [04002-1-04002-12]
3) New Nonrelativistic Three-Dimensional Spectroscopic Studies of NMGECSC Potential in Presence of External Electric [04003-1-04003-8]
4) Parametric Study of Stacked Microstrip Patch Antenna with Dissimilar Substrates [04004-1-04004-4]
5) Kinetics of Blue Emission during Ultraviolet Insolation on Germanosilicate Optical Fiber [04005-1-04005-5]
6) Electrons Extraction from MWCNT/PEO Composites [04006-1-04006-5]
7) Optimizing Combination of Parameters for Pull-off Adhesion Testing through Design of Experiment Study [04007-1-04007-7]
8) Термодинамічний аналіз процесу кристалізації сплавів системи Ni-Zr [04008-1-04008-4]
9) Фотолюмінесцентні властивості наногетерогенних плівкових структур НК CdTe/ТГК/сополімер вінілацетат-акрилату [04009-1-04009-4]
10) Механізм виникнення коливань напруги в кремнієвій структурі при протіканні екстремальних струмів [04010-1-04010-4]
11) The Theoretical Study of Electron Dispersion of Some Liquid Metals Using Transition Metal Model Potential (TMMP) [04011-1-04011-4]
12) An Analytical Modeling of Drain Current for Single Material Surrounded Gate Nanoscale SOI MOSFET [04012-1-04012-5]
13) Effect of Intrinsic Layer Thickness on PIN Structure for Tandem Solar Cell Based on Indium Gallium Nitride Using AMPS -1D [04013-1-04013-4]
14) Gunn Diodes Based on Graded InGaP-InPAs [04014-1-04014-6]
15) Особливості електропровідності та магнітоопору ниткоподібних кристалів кремнію з концентрацією домішки в області переходу метал-діелектрик за низьких температур [04015-1-04015-7]
16) Магнiторезистивнi та магнiтооптичнi властивостi двокомпонентних плiвкових сплавів на основі заліза [04016-1-04016-4]
17) A New Electro-Thermal Modeling of Low Voltage Power MOSFET with Junction Tempera-ture Dependent Foster (RC) Thermal Network [04017-1-04017-5]
18) Дислокаційний гістерезис у змішаному стані надпровідника ІІ роду [04018-1-04018-6]
19) p-i-n фотодіод на основі кремнію з малим часом зростання [04019-1-04019-5]
20) Удосконалення електрохімічних суперконденсаторів шляхом використання наноструктурованих напівпровідників [04020-1-04020-6]
21) Комп'ютерне моделювання системи екстракції джерела негативних іонів водню за допомогою пакета IBSimu [04021-1-04021-9]
22) Фотоіндуковані просторово-часові коливання і структурна самоорганізація в полімер-іммобілізованих дисперсних напівпровідниках [04022-1-04022-8]
23) Дослідження фотоелектричних перетворювачів на основі різних напівпровідникових матеріалів [04023-1-04023-6]
24) Електропровідність та процеси діелектричної релаксації керамічної системиY2O3-ZrO2-SrTiO3-BiScO3 [04024-1-04024-4]
25) Підвищення ефективності роботи лінійного п'єзоелектричного мотора [04025-1-04025-5]
26) A Graphical Method to Study Electrostatic Potentials of 25 nm Channel Length DG SOI MOSFETs [04027-1-04027-4]
27) Збільшення вірогідності безвідмовної роботи ІЧ-приладів самонаведення та спостереження шляхом електронно-променевої обробки оптичних обтічників [04028-1-04028-7]
28) Магнітні дослідження наночастинок шаруватого магніторозчиненого напівпровідника [04029-1-04029-5]
29) Першопринципний розрахунок домішково-дислокаційної взаємодії в кремнії [04030-1-04030-5]
30) Вплив умов термообробки на магніторезистивні властивості тришарових структур Fe0,2Co0,8/Cu/Fe0,2Co0,8 [04031-1-04031-5]
31) Особливості структури високоентропійного сплаву FeCoNiCrMn [04032-1-04032-10]
32) Пористий вуглець на основі антрациту як електродний матеріал літієвих джерел струму [04033-1-04033-5]
33) Ab initio Study of the Effect of H2O Molecules Adsorption on the Semiconducting Graphene Nanoribbon [04034-1-04034-3]
