Effect of Intrinsic Layer Thickness on PIN Structure for Tandem Solar Cell Based on Indium Gallium Nitride Using AMPS -1D
| Автори | Omar Souilah1, A. Benzair2, B. Dennai3, H. Khachab3 |
| Афіліація |
1Laboratory of Study of Materials and Optics Instrumentations, University of Sidi Bel-Abbes, 22000 Algeria 2Laboratory of Modeling and simulation in multi-scale, University of Sidi Bel-Abbes, 22000Algeria 3Laboratory in semiconductor device University of Bechar, 08000 Algeria |
| Е-mail | omar.souilah2@gmail.com |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 4 |
| Дати | Одержано 27.02.2018; опубліковано online 25.08.2018 |
| Цитування | Omar Souilah, A. Benzair, et al., J. Nano- Electron. Phys. 10 № 4, 04013 (2018) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(4).04013 |
| PACS Number(s) | 84.60.Jt, 88.40.jm |
| Ключові слова | Solar cell (51) , Tandem (3) , Simulation (35) , PIN structure, AMPS-1D (10) , Efficiency (24) , InGaN (5) . |
| Анотація |
In this work we have studied The effect of thickness of the intrinsic layer in the PIN structure of InGaN tandem solar cells such as photo generation rate, efficiency and recombination rate through the cells. Improvement around of 13 % of PIN tandem solar cell over PN tandem solar cell is observed for low doping concentration (NA 1016 cm – 3; ND 1018 cm – 3) and surface recombination (103cm/s). The photo-generated short-circuit current density (Jsc) and the open-circuit voltage (Voc) of structures under AM 1,5G (one sun) illumination, are simulated for different thickness of intrinsic layer varying from 50 nm to 350 nm. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Impact of Sputtering Pressure on Structural, Optical, Electrical and Morphological Properties of Titanium Doped Zinc Oxide Thin films Using Metallic Target [04001-1-04001-5]2) Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних нано-структурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 [04002-1-04002-12]
3) New Nonrelativistic Three-Dimensional Spectroscopic Studies of NMGECSC Potential in Presence of External Electric [04003-1-04003-8]
4) Parametric Study of Stacked Microstrip Patch Antenna with Dissimilar Substrates [04004-1-04004-4]
5) Kinetics of Blue Emission during Ultraviolet Insolation on Germanosilicate Optical Fiber [04005-1-04005-5]
6) Electrons Extraction from MWCNT/PEO Composites [04006-1-04006-5]
7) Optimizing Combination of Parameters for Pull-off Adhesion Testing through Design of Experiment Study [04007-1-04007-7]
8) Термодинамічний аналіз процесу кристалізації сплавів системи Ni-Zr [04008-1-04008-4]
9) Фотолюмінесцентні властивості наногетерогенних плівкових структур НК CdTe/ТГК/сополімер вінілацетат-акрилату [04009-1-04009-4]
10) Механізм виникнення коливань напруги в кремнієвій структурі при протіканні екстремальних струмів [04010-1-04010-4]
11) The Theoretical Study of Electron Dispersion of Some Liquid Metals Using Transition Metal Model Potential (TMMP) [04011-1-04011-4]
12) An Analytical Modeling of Drain Current for Single Material Surrounded Gate Nanoscale SOI MOSFET [04012-1-04012-5]
13) Gunn Diodes Based on Graded InGaP-InPAs [04014-1-04014-6]
14) Особливості електропровідності та магнітоопору ниткоподібних кристалів кремнію з концентрацією домішки в області переходу метал-діелектрик за низьких температур [04015-1-04015-7]
15) Магнiторезистивнi та магнiтооптичнi властивостi двокомпонентних плiвкових сплавів на основі заліза [04016-1-04016-4]
16) A New Electro-Thermal Modeling of Low Voltage Power MOSFET with Junction Tempera-ture Dependent Foster (RC) Thermal Network [04017-1-04017-5]
17) Дислокаційний гістерезис у змішаному стані надпровідника ІІ роду [04018-1-04018-6]
18) p-i-n фотодіод на основі кремнію з малим часом зростання [04019-1-04019-5]
19) Удосконалення електрохімічних суперконденсаторів шляхом використання наноструктурованих напівпровідників [04020-1-04020-6]
20) Комп'ютерне моделювання системи екстракції джерела негативних іонів водню за допомогою пакета IBSimu [04021-1-04021-9]
21) Фотоіндуковані просторово-часові коливання і структурна самоорганізація в полімер-іммобілізованих дисперсних напівпровідниках [04022-1-04022-8]
22) Дослідження фотоелектричних перетворювачів на основі різних напівпровідникових матеріалів [04023-1-04023-6]
23) Електропровідність та процеси діелектричної релаксації керамічної системиY2O3-ZrO2-SrTiO3-BiScO3 [04024-1-04024-4]
24) Підвищення ефективності роботи лінійного п'єзоелектричного мотора [04025-1-04025-5]
25) Квантовое столкновение двух вертикальных блоховских линий в доменной границе одноосной ферромагнитной пленки [04026-1-04026-4]
26) A Graphical Method to Study Electrostatic Potentials of 25 nm Channel Length DG SOI MOSFETs [04027-1-04027-4]
27) Збільшення вірогідності безвідмовної роботи ІЧ-приладів самонаведення та спостереження шляхом електронно-променевої обробки оптичних обтічників [04028-1-04028-7]
28) Магнітні дослідження наночастинок шаруватого магніторозчиненого напівпровідника [04029-1-04029-5]
29) Першопринципний розрахунок домішково-дислокаційної взаємодії в кремнії [04030-1-04030-5]
30) Вплив умов термообробки на магніторезистивні властивості тришарових структур Fe0,2Co0,8/Cu/Fe0,2Co0,8 [04031-1-04031-5]
31) Особливості структури високоентропійного сплаву FeCoNiCrMn [04032-1-04032-10]
32) Пористий вуглець на основі антрациту як електродний матеріал літієвих джерел струму [04033-1-04033-5]
33) Ab initio Study of the Effect of H2O Molecules Adsorption on the Semiconducting Graphene Nanoribbon [04034-1-04034-3]
