Дислокаційний гістерезис у змішаному стані надпровідника ІІ роду
| Автори | В.Я. Білошапка1, К.С. Семенова1, В.Я. Платков2, Д.О. Піменов1 |
| Афіліація |
1Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідта, 4, 71100 Бердянськ, Україна 2Харківський національний економічний університет, просп. Науки, 9А, Харків, Україна |
| Е-mail | belvj@ukr.net |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 4 |
| Дати | Одержано 04.05.2018; опубліковано online 25.08.2018 |
| Цитування | В.Я. Білошапка, К.С. Семенова, В.Я. Платков, Д.О. Піменов, Ж. нано- електрон. фіз. 10 № 4, 04018 (2018) |
| DOI | http://dx.doi.org/10.21272/jnep.10(4).04018 |
| PACS Number(s) | 74.25.Ld |
| Ключові слова | Динаміка дислокацій, Внутрішнє тертя (4) , Дислокаційний гістерезис, Надпровідники другого роду. |
| Анотація |
Чисельними методами вивчалась динаміка сталих коливань дислокаційної петлі в присутності областей з іншим коефіцієнтом в’язкості за наявності в площині ковзання дислокації випадково розташованих слабких центрів закріплення. Геометрія областей різними значеннями в’язкості та діапазон коефіцієнта в’язкості були обрані у відповідності з їхніми типовими значеннями для надпровідників другого роду. Отримано амплітудні залежності внутрішнього тертя та дефекту модуля пружності при різних значеннях долі нормальної фази та різних варіантах орієнтації областей з нормальною фазою відносно лінії дислокації. Встановлено, що відносна зміна декремента внутрішнього тертя і дефекту модуля пружності в амплітудно-залежній області в змішаному стані надпровідника завжди випереджає зростання частки нормальної фази. Вивчено вплив долі нормальної фази на петлю дислокаційного гістерезису, величину середнього значення стрибка деформації та напругу відриву нерухомої дислокаційної петлі. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Impact of Sputtering Pressure on Structural, Optical, Electrical and Morphological Properties of Titanium Doped Zinc Oxide Thin films Using Metallic Target [04001-1-04001-5]2) Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних нано-структурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 [04002-1-04002-12]
3) New Nonrelativistic Three-Dimensional Spectroscopic Studies of NMGECSC Potential in Presence of External Electric [04003-1-04003-8]
4) Parametric Study of Stacked Microstrip Patch Antenna with Dissimilar Substrates [04004-1-04004-4]
5) Kinetics of Blue Emission during Ultraviolet Insolation on Germanosilicate Optical Fiber [04005-1-04005-5]
6) Electrons Extraction from MWCNT/PEO Composites [04006-1-04006-5]
7) Optimizing Combination of Parameters for Pull-off Adhesion Testing through Design of Experiment Study [04007-1-04007-7]
8) Термодинамічний аналіз процесу кристалізації сплавів системи Ni-Zr [04008-1-04008-4]
9) Фотолюмінесцентні властивості наногетерогенних плівкових структур НК CdTe/ТГК/сополімер вінілацетат-акрилату [04009-1-04009-4]
10) Механізм виникнення коливань напруги в кремнієвій структурі при протіканні екстремальних струмів [04010-1-04010-4]
11) The Theoretical Study of Electron Dispersion of Some Liquid Metals Using Transition Metal Model Potential (TMMP) [04011-1-04011-4]
12) An Analytical Modeling of Drain Current for Single Material Surrounded Gate Nanoscale SOI MOSFET [04012-1-04012-5]
13) Effect of Intrinsic Layer Thickness on PIN Structure for Tandem Solar Cell Based on Indium Gallium Nitride Using AMPS -1D [04013-1-04013-4]
14) Gunn Diodes Based on Graded InGaP-InPAs [04014-1-04014-6]
15) Особливості електропровідності та магнітоопору ниткоподібних кристалів кремнію з концентрацією домішки в області переходу метал-діелектрик за низьких температур [04015-1-04015-7]
16) Магнiторезистивнi та магнiтооптичнi властивостi двокомпонентних плiвкових сплавів на основі заліза [04016-1-04016-4]
17) A New Electro-Thermal Modeling of Low Voltage Power MOSFET with Junction Tempera-ture Dependent Foster (RC) Thermal Network [04017-1-04017-5]
18) p-i-n фотодіод на основі кремнію з малим часом зростання [04019-1-04019-5]
19) Удосконалення електрохімічних суперконденсаторів шляхом використання наноструктурованих напівпровідників [04020-1-04020-6]
20) Комп'ютерне моделювання системи екстракції джерела негативних іонів водню за допомогою пакета IBSimu [04021-1-04021-9]
21) Фотоіндуковані просторово-часові коливання і структурна самоорганізація в полімер-іммобілізованих дисперсних напівпровідниках [04022-1-04022-8]
22) Дослідження фотоелектричних перетворювачів на основі різних напівпровідникових матеріалів [04023-1-04023-6]
23) Електропровідність та процеси діелектричної релаксації керамічної системиY2O3-ZrO2-SrTiO3-BiScO3 [04024-1-04024-4]
24) Підвищення ефективності роботи лінійного п'єзоелектричного мотора [04025-1-04025-5]
25) Квантовое столкновение двух вертикальных блоховских линий в доменной границе одноосной ферромагнитной пленки [04026-1-04026-4]
26) A Graphical Method to Study Electrostatic Potentials of 25 nm Channel Length DG SOI MOSFETs [04027-1-04027-4]
27) Збільшення вірогідності безвідмовної роботи ІЧ-приладів самонаведення та спостереження шляхом електронно-променевої обробки оптичних обтічників [04028-1-04028-7]
28) Магнітні дослідження наночастинок шаруватого магніторозчиненого напівпровідника [04029-1-04029-5]
29) Першопринципний розрахунок домішково-дислокаційної взаємодії в кремнії [04030-1-04030-5]
30) Вплив умов термообробки на магніторезистивні властивості тришарових структур Fe0,2Co0,8/Cu/Fe0,2Co0,8 [04031-1-04031-5]
31) Особливості структури високоентропійного сплаву FeCoNiCrMn [04032-1-04032-10]
32) Пористий вуглець на основі антрациту як електродний матеріал літієвих джерел струму [04033-1-04033-5]
33) Ab initio Study of the Effect of H2O Molecules Adsorption on the Semiconducting Graphene Nanoribbon [04034-1-04034-3]
