Parametric Study of Stacked Microstrip Patch Antenna with Dissimilar Substrates
| Автори | S. Bouttout1, Y. Bentrcia1, S. Benkouda 2, T. Fortaki1 |
| Афіліація |
1Electronics Department, University of Batna 2, 05000 Batna, Algeria 2Electronics Department, University of Constantine 1, 25000 Constantine, Algeria |
| Е-mail | sarah.boutout@yahoo.com |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 4 |
| Дати | Одержано 20.01.2018; у відредагованій формі 09.08.2018; опубліковано online 25.08.2018 |
| Цитування | S. Bouttout, Y. Bentrcia, et al., J. Nano- Electron. Phys. 10 № 4, 04004 (2018) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.10(4).04004 |
| PACS Number(s) | 77.22.Ch, 84.40. – x, 84.40.Ba |
| Ключові слова | Stacked Microstrip Patches, Resonance (8) , Dissimilar Substrates, Ual Frequency, Mutual Coupling. |
| Анотація |
A complete parametric study of stacked rectangular microstrip patches printed on non-magnetic isotropic substrate is performed. The numerical results are obtained by applying the method of moments to the electric field integral equations. Detailed closed-form expressions of Green’s functions are presented. The new results found indicate that, the lower resonant frequency is mainly determined by the patch etched on the thicker layer. The layer having the higher permittivity defines which resonance is mainly determined by the bottom patch, either the upper resonance if the upper layer has the higher permittivity, or the lower resonance in opposite case. All these results offer better understanding and thus a better control of the dual-band operating of the microstrip antenna. Therefore, a proper choice of the antenna parameters becomes possible in order to obtain the desired functional characteristics. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Impact of Sputtering Pressure on Structural, Optical, Electrical and Morphological Properties of Titanium Doped Zinc Oxide Thin films Using Metallic Target [04001-1-04001-5]2) Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних нано-структурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 [04002-1-04002-12]
3) New Nonrelativistic Three-Dimensional Spectroscopic Studies of NMGECSC Potential in Presence of External Electric [04003-1-04003-8]
4) Kinetics of Blue Emission during Ultraviolet Insolation on Germanosilicate Optical Fiber [04005-1-04005-5]
5) Electrons Extraction from MWCNT/PEO Composites [04006-1-04006-5]
6) Optimizing Combination of Parameters for Pull-off Adhesion Testing through Design of Experiment Study [04007-1-04007-7]
7) Термодинамічний аналіз процесу кристалізації сплавів системи Ni-Zr [04008-1-04008-4]
8) Фотолюмінесцентні властивості наногетерогенних плівкових структур НК CdTe/ТГК/сополімер вінілацетат-акрилату [04009-1-04009-4]
9) Механізм виникнення коливань напруги в кремнієвій структурі при протіканні екстремальних струмів [04010-1-04010-4]
10) The Theoretical Study of Electron Dispersion of Some Liquid Metals Using Transition Metal Model Potential (TMMP) [04011-1-04011-4]
11) An Analytical Modeling of Drain Current for Single Material Surrounded Gate Nanoscale SOI MOSFET [04012-1-04012-5]
12) Effect of Intrinsic Layer Thickness on PIN Structure for Tandem Solar Cell Based on Indium Gallium Nitride Using AMPS -1D [04013-1-04013-4]
13) Gunn Diodes Based on Graded InGaP-InPAs [04014-1-04014-6]
14) Особливості електропровідності та магнітоопору ниткоподібних кристалів кремнію з концентрацією домішки в області переходу метал-діелектрик за низьких температур [04015-1-04015-7]
15) Магнiторезистивнi та магнiтооптичнi властивостi двокомпонентних плiвкових сплавів на основі заліза [04016-1-04016-4]
16) A New Electro-Thermal Modeling of Low Voltage Power MOSFET with Junction Tempera-ture Dependent Foster (RC) Thermal Network [04017-1-04017-5]
17) Дислокаційний гістерезис у змішаному стані надпровідника ІІ роду [04018-1-04018-6]
18) p-i-n фотодіод на основі кремнію з малим часом зростання [04019-1-04019-5]
19) Удосконалення електрохімічних суперконденсаторів шляхом використання наноструктурованих напівпровідників [04020-1-04020-6]
20) Комп'ютерне моделювання системи екстракції джерела негативних іонів водню за допомогою пакета IBSimu [04021-1-04021-9]
21) Фотоіндуковані просторово-часові коливання і структурна самоорганізація в полімер-іммобілізованих дисперсних напівпровідниках [04022-1-04022-8]
22) Дослідження фотоелектричних перетворювачів на основі різних напівпровідникових матеріалів [04023-1-04023-6]
23) Електропровідність та процеси діелектричної релаксації керамічної системиY2O3-ZrO2-SrTiO3-BiScO3 [04024-1-04024-4]
24) Підвищення ефективності роботи лінійного п'єзоелектричного мотора [04025-1-04025-5]
25) Квантовое столкновение двух вертикальных блоховских линий в доменной границе одноосной ферромагнитной пленки [04026-1-04026-4]
26) A Graphical Method to Study Electrostatic Potentials of 25 nm Channel Length DG SOI MOSFETs [04027-1-04027-4]
27) Збільшення вірогідності безвідмовної роботи ІЧ-приладів самонаведення та спостереження шляхом електронно-променевої обробки оптичних обтічників [04028-1-04028-7]
28) Магнітні дослідження наночастинок шаруватого магніторозчиненого напівпровідника [04029-1-04029-5]
29) Першопринципний розрахунок домішково-дислокаційної взаємодії в кремнії [04030-1-04030-5]
30) Вплив умов термообробки на магніторезистивні властивості тришарових структур Fe0,2Co0,8/Cu/Fe0,2Co0,8 [04031-1-04031-5]
31) Особливості структури високоентропійного сплаву FeCoNiCrMn [04032-1-04032-10]
32) Пористий вуглець на основі антрациту як електродний матеріал літієвих джерел струму [04033-1-04033-5]
33) Ab initio Study of the Effect of H2O Molecules Adsorption on the Semiconducting Graphene Nanoribbon [04034-1-04034-3]
