Electrons Extraction from MWCNT/PEO Composites
| Автори | N. Benkara Mohammed1, 2 , R. Md Nor1, N. Benouattas3 |
| Приналежність |
1Department of Physics, Faculty of Science, University of Malaya, 50603 Kuala Lumpur, Malaysia 2Department of Sciences and Techniques, Faculty of Sciences and Technology, University of Mohamed Bachir El-Ibrahimi, Bordj-Bou-Arreridj 34000, Algeria 3Laboratory of Surfaces and Interfaces of Solid Materials, University of Mohamed El-Bachir El-Ibrahimi, Setif I 19000, Algeria |
| Е-mail | nadjima2004@yahoo.com |
| Випуск | Том 10, Рік 2018, Номер 4 |
| Дати | Одержано 14.03.2018; у відредагованій формі 15.08.2018; опубліковано online 25.08.2018 |
| Посилання | N. Benkara Mohammed, R. Md Nor, N. Benouattas, J. Nano- Electron. Phys. 10 No 4, 04006 (2018) |
| DOI | http://dx.doi.org/10.21272/jnep.10(4).04006 |
| PACS Number(s) | 78.67.Sc |
| Ключові слова | MWCNTs (2) , PEO (2) , Nanomposites, Field electron emission (2) . |
| Анотація |
Electron field emission was investigated from multi-walled carbon nanotubes (MWCNT)/polyethylene oxide (PEO) composites with (5, 15, 25, 33, 40 and 50wt.% of MWCNTs). The resulted samples were characterized using Raman spectroscopy to estimate The MWCNTs-PEO (Nanotubes-Polymer) interaction through the shifting or width alteration of the peaks. The SEM micrographs were issued to investigate the surface morphology of the samples. In addition, and in order to gain additional understanding of the filler content and the samples thermal stability; the TGA technique was applied. The current density versus applied electric field J(E) and current stability of the prepared composites were measured using a range of voltages. Here, the 33wt.% composite displayed the lowest turn on field of 6.51V/µm, whereas the highest current density achieved was 1.17 mA/cm2 by the 40wt.% composite. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Impact of Sputtering Pressure on Structural, Optical, Electrical and Morphological Properties of Titanium Doped Zinc Oxide Thin films Using Metallic Target [04001-1-04001-5]2) Топографія та густина поверхневих електронних станів ювенільних та дефектних нано-структурованих поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3 [04002-1-04002-12]
3) New Nonrelativistic Three-Dimensional Spectroscopic Studies of NMGECSC Potential in Presence of External Electric [04003-1-04003-8]
4) Parametric Study of Stacked Microstrip Patch Antenna with Dissimilar Substrates [04004-1-04004-4]
5) Kinetics of Blue Emission during Ultraviolet Insolation on Germanosilicate Optical Fiber [04005-1-04005-5]
6) Optimizing Combination of Parameters for Pull-off Adhesion Testing through Design of Experiment Study [04007-1-04007-7]
7) Термодинамічний аналіз процесу кристалізації сплавів системи Ni-Zr [04008-1-04008-4]
8) Фотолюмінесцентні властивості наногетерогенних плівкових структур НК CdTe/ТГК/сополімер вінілацетат-акрилату [04009-1-04009-4]
9) Механізм виникнення коливань напруги в кремнієвій структурі при протіканні екстремальних струмів [04010-1-04010-4]
10) The Theoretical Study of Electron Dispersion of Some Liquid Metals Using Transition Metal Model Potential (TMMP) [04011-1-04011-4]
11) An Analytical Modeling of Drain Current for Single Material Surrounded Gate Nanoscale SOI MOSFET [04012-1-04012-5]
12) Effect of Intrinsic Layer Thickness on PIN Structure for Tandem Solar Cell Based on Indium Gallium Nitride Using AMPS -1D [04013-1-04013-4]
13) Gunn Diodes Based on Graded InGaP-InPAs [04014-1-04014-6]
14) Особливості електропровідності та магнітоопору ниткоподібних кристалів кремнію з концентрацією домішки в області переходу метал-діелектрик за низьких температур [04015-1-04015-7]
15) Магнiторезистивнi та магнiтооптичнi властивостi двокомпонентних плiвкових сплавів на основі заліза [04016-1-04016-4]
16) A New Electro-Thermal Modeling of Low Voltage Power MOSFET with Junction Tempera-ture Dependent Foster (RC) Thermal Network [04017-1-04017-5]
17) Дислокаційний гістерезис у змішаному стані надпровідника ІІ роду [04018-1-04018-6]
18) p-i-n фотодіод на основі кремнію з малим часом зростання [04019-1-04019-5]
19) Удосконалення електрохімічних суперконденсаторів шляхом використання наноструктурованих напівпровідників [04020-1-04020-6]
20) Комп'ютерне моделювання системи екстракції джерела негативних іонів водню за допомогою пакета IBSimu [04021-1-04021-9]
21) Фотоіндуковані просторово-часові коливання і структурна самоорганізація в полімер-іммобілізованих дисперсних напівпровідниках [04022-1-04022-8]
22) Дослідження фотоелектричних перетворювачів на основі різних напівпровідникових матеріалів [04023-1-04023-6]
23) Електропровідність та процеси діелектричної релаксації керамічної системиY2O3-ZrO2-SrTiO3-BiScO3 [04024-1-04024-4]
24) Підвищення ефективності роботи лінійного п'єзоелектричного мотора [04025-1-04025-5]
25) Квантовое столкновение двух вертикальных блоховских линий в доменной границе одноосной ферромагнитной пленки [04026-1-04026-4]
26) A Graphical Method to Study Electrostatic Potentials of 25 nm Channel Length DG SOI MOSFETs [04027-1-04027-4]
27) Збільшення вірогідності безвідмовної роботи ІЧ-приладів самонаведення та спостереження шляхом електронно-променевої обробки оптичних обтічників [04028-1-04028-7]
28) Магнітні дослідження наночастинок шаруватого магніторозчиненого напівпровідника [04029-1-04029-5]
29) Першопринципний розрахунок домішково-дислокаційної взаємодії в кремнії [04030-1-04030-5]
30) Вплив умов термообробки на магніторезистивні властивості тришарових структур Fe0,2Co0,8/Cu/Fe0,2Co0,8 [04031-1-04031-5]
31) Особливості структури високоентропійного сплаву FeCoNiCrMn [04032-1-04032-10]
32) Пористий вуглець на основі антрациту як електродний матеріал літієвих джерел струму [04033-1-04033-5]
33) Ab initio Study of the Effect of H2O Molecules Adsorption on the Semiconducting Graphene Nanoribbon [04034-1-04034-3]
