Автори | С.О. Вамболь1, І.Т. Богданов2, В.В. Вамболь1, Я.О. Сичікова2, О.М. Кондратенко1, Т.П. Несторенко1, С.В. Онищенко2 |
Афіліація | 1 Національний університет цивільного захисту України, вул. Чернишевська, 94, 61023 Харків, Україна 2 Бердянський державний педагогічний університет, вул. Шмідта, 4, 71100 Бердянськ, Україна |
Е-mail | yo_suchikova@bdpu.org |
Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 6 |
Дати | Одержано 11.07.2017, опубліковано online - 24.11.2017 |
Цитування | С.О. Вамболь, І.Т. Богданов, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 6, 06016 (2017) |
DOI | 10.21272/jnep.9(6).06016 |
PACS Number(s) | 61.43Gt, 78.30Fs, 78.55m |
Ключові слова | Арсенід галію (7) , Напівпровідники (14) , Нанодроти (9) , Електрохімічне Травлення (12) , Електроліт (7) . |
Анотація | У роботі представлено метод формування ниткоподібних оксидних нанокристалітів на поверхні монокристалічного арсеніду галію. Нанодроти було сформовано методом електрохімічного травлення у розчині соляної та бромистої кислот. Оцінено морфологічні властивості отриманих структур та показано можливість застосування їх у якості газових сенсорів. Стабільність властивостей нанодротів забезпечується наявністю оксидної фази на їх верхівках та по поверхні. Нахил нанодротів пояснюється виходячи з стійкості кристалографічних площин їх граней. |
Перелік посилань English version of article |