Структура і властивості вакуумно-дугових покриттів хрому і його нітридів, отриманих в умовах дії постійного і імпульсного високовольтного потенціалів зсуву
| Автори | О.В. Соболь1 , Г.О. Постельник1 , Р.П. Мігущенко1 , Ubeidulla F. Al-Qawabeha2, Taha A. Tabaza3, Safwan M. Al-Qawabah3, В.Ф. Горбань4, В.А. Столбовий5 |
| Приналежність | 1 Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Kирпичова, 2, 61002 Харків, Україна 2 Tafila Technical University, At-Tafilah, P O Box 179, 66110 Tafila, Jordan 3 Al-Zaytoonah University Queen Alia, 594, Airport Str., 11733 Amman, Jordan 4 Інститут проблем матеріалознавства ім. Францевича, вул. Кржижановського, 3, 03142 Київ-142, Україна 5 Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут», вул. Академічна, 1, 61108 Харків, Україна |
| Е-mail | sool@kpi.kharkov.ua |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 6 |
| Дати | Одержано 28.08.2017, опубліковано online - 24.11.2017 |
| Посилання | О.В. Соболь, Г.О. Постельник, Р.П. Мігущенко, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 6, 06024 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(6).06024 |
| PACS Number(s) | 64.75.St, 81.07.Bc, 62.25. – g, 61.05.cp, 61.82.Rx |
| Ключові слова | Вакуумна дуга (6) , Cr (183) , CrN (7) , Тиск (29) , Потенціал зсуву (7) , Імпульсний високовольтний потенціал, Фазовий склад (33) , Структура (212) , Твердість (63) , Коефіцієнт тертя (7) . |
| Анотація | Для виявлення закономірностей структурної інженерії вакуумно-дугових покриттів на основі хрому та його нітридів досліджено вплив основних фізико-технологічних факторів (тиск азотної атмосфери і потенціал зсуву) при формуванні покриттів. Встановлено, що при осадженні покриттів хрому відбувається формування: осі текстури [100], а також макродеформацій стиснення. Подача високовольтного негативного імпульсного потенціалу на підкладку підвищує рухливість атомів, що осаджуються і призводить до релаксації деформації стиснення. Зі збільшенням тиску від 210 – 5 Торр до 4,810 – 3 Торр фазовий склад покриттів змінюється: Cr (JCPDS 06-0694) → Cr2N (JCPDS 35-0803) → CrN (JCPDS 11-0065). Подача високовольтних імпульсів призводить до формування текстури кристаллитов з паралельними поверхні зростання площинами які мають d ≈ 0.14 нм. Одержана при імпульсному високовольтному впливі структура дозволяє підвищити твердість покриття до 32 ГПа і знизити коефіцієнт тертя до 0.32 в системі «нітрид хрому – сталь» і до 0.11 в системі «нітрид хрому – алмаз». Одержані результати пояснені з позиції підвищення рухливості атомів і утворення каскадів зміщення при використанні в процесі осадження покриттів на основі хрому додаткового високовольтного потенціалу в імпульсної формі. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив неоднорідності товщини шарів TiO2 на транспорт носіїв заряду в дисперсних сонячних елементах на барвниках [06001-1-06001-5]2) Electrical Performance of Zinc Oxide Thin Films Transistors [06002-1-06002-5]
3) A Comparative Study of Increasing Sensitivity Based on MoS2 Gas Sensor [06003-1-06003-4]
4) Очистка кристалів Cd(Mn)Te для детекторів рентгенівського випромінювання спеціальним відпалом [06004-1-06004-5]
5) New Optimized Intermediate Band (IB) Design to Improve ZnTeO Solar Cell Performances [06005-1-06005-4]
6) New Nonrelativistic Quarkonium Masses in the Two-Dimensional Space-Phase using Bopp’s shift Method and Standard Perturbation Theory [06006-1-06006-8]
7) Розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі точкових дефектів в GaN зі структурою сфалерит: розрахунок з перших принципів [06007-1-06007-6]
8) Effects of Stone-Wales Defect Position in Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistor [06008-1-06008-5]
9) Analytical Modeling & Simulation of OFF-State Leakage Current for Lightly Doped MOSFETs [06009-1-06009-4]
10) Моделювання процесу створення мікрокомпонентів для вакуумної електроніки та рентгенівської оптики із застосуванням протонно-променевої літографії [06010-1-06010-5]
11) Analytical Identification Method for the Single Diode Model Parameters of a Photovoltaic Panel using Datasheet Values [06011-1-06011-4]
12) Формування багатошарових упорядкованих масивів магнітних наночастинок CoFe2O4 [06012-1-06012-5]
13) Effect of Electron Irradiation on Conductivity Anisotropy in n-InSe [06013-1-06013-5]
14) Визначення температури плавлення біметалевої Au@Ag наночастинки методами комп’ютерного моделювання [06014-1-06014-4]
15) Енергетичний спектр електрона та сили осциляторів внутрішньозонних квантових переходів у подвійних напівпровідникових нанокільцях у магнітному полі [06015-1-06015-6]
16) Формування ниткоподібних оксидних структур на поверхні монокристалічного арсеніду галію [06016-1-06016-4]
17) Ionizing Radiation Induced Modification of the Copper Nanotubes Structure [06017-1-06017-6]
18) Phase Composition and Crystal Structure of N4HNO3 Granules with Nanostructured Surface Porous Layer [06018-1-06018-4]
19) Computer Simulation of Electrical Characteristics of the Carbon Nanochains [06019-1-06019-6]
20) Структура і властивості плівок сульфіду кадмію, отриманих методом магнетронного розпилення [06020-1-06020-5]
21) Перемішування на границях шарів багатошарових наноперіодних покриттів системи TiNх/ZrNх: моделювання та експеримент [06021-1-06021-6]
22) Influence of Ethanol and Water on Physical and Chemical Processes of Splitting of Paracetamol and Glycine [06022-1-06022-6]
23) Створення дифузійного бар’єру на міжфазній поверхні композиційних покриттів, зміцнених вуглецевими нанотрубками [06023-1-06023-5]
24) Effect of Annealing Time on the Power Conversion Efficiency of Silicon Nanowire Based Solar Cell Prepared by Wet Diffusion Technique [06025-1-06025-4]
25) Creation of a Tunable Diode Based on Nanotubes with an Ion Gate [06026-1-06026-4]
26) Influence of the Angle of Inclination of the Plasma Flow of Carbon to the Substrate on the Electrical Capacitance and Morphology of the Surface of Carbon Coatings [06027-1-06027-3]
27) Synthesis and Optical Absorption Properties of Copper Oxide Nanoparticles for Applications in Transparent Surface Coatings and Solar Cells [06028-1-06028-2]
