Структура і властивості плівок сульфіду кадмію, отриманих методом магнетронного розпилення
| Автори | Р.В. Зайцев1 , М.В. Кириченко1 , Р.П. Мигущенко1 , Н.В. Веселова1, Г.С. Хрипунов1 , А.І. Доброжан1, Л.В. Зайцева2 |
| Приналежність | 1 Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Кирпичова, 2, 61002 Харків, Україна 2 Національний аерокосмічний університет «Харківський авіаційний інститут», вул. Чкалова, 17, 61070 Харків, Україна |
| Е-mail | |
| Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 6 |
| Дати | Одержано 17.06.2017, опубліковано online - 24.11.2017 |
| Посилання | Р.В. Зайцев, М.В. Кириченко, Р.П. Мигущенко та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 6, 06020 (2017) |
| DOI | 10.21272/jnep.9(6).06020 |
| PACS Number(s) | 68.37._d, 75.70.Ak |
| Ключові слова | Плівки сульфіду кадмію, Метод магнетронного розпилення на постійному струмі (2) , Оптичні втрати (2) , Ширина забороненої зони (18) , Кристалічна структура (19) . |
| Анотація | З метою створення економічної, придатної для широкомасштабного застосування технології формування шару широкозонного «вікна» для тонкоплівкових фотоелектричних перетворювачів на основі сульфіду та телуриду кадмію були проведені експериментальні дослідження впливу температури осадження плівок сульфіду кадмію, отриманих методом магнетронного розпилення на постійному струмі, на їх оптичні властивості і кристалічну структуру. Методом двоканальної оптичної спектроскопії встановлено, що осадження плівок сульфіду кадмію при температурі 160 °С дозволяє формувати шари з шириною забороненої зони 1,41 еВ, що наближається до значення, характерного для монокристалів, і щільністю потоку фотонів, що проходять через шар сульфіду кадмію в спектральному інтервалі фоточутливості телуриду кадмію, на рівні 37,0 Втнмсм2. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Вплив неоднорідності товщини шарів TiO2 на транспорт носіїв заряду в дисперсних сонячних елементах на барвниках [06001-1-06001-5]2) Electrical Performance of Zinc Oxide Thin Films Transistors [06002-1-06002-5]
3) A Comparative Study of Increasing Sensitivity Based on MoS2 Gas Sensor [06003-1-06003-4]
4) Очистка кристалів Cd(Mn)Te для детекторів рентгенівського випромінювання спеціальним відпалом [06004-1-06004-5]
5) New Optimized Intermediate Band (IB) Design to Improve ZnTeO Solar Cell Performances [06005-1-06005-4]
6) New Nonrelativistic Quarkonium Masses in the Two-Dimensional Space-Phase using Bopp’s shift Method and Standard Perturbation Theory [06006-1-06006-8]
7) Розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі точкових дефектів в GaN зі структурою сфалерит: розрахунок з перших принципів [06007-1-06007-6]
8) Effects of Stone-Wales Defect Position in Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistor [06008-1-06008-5]
9) Analytical Modeling & Simulation of OFF-State Leakage Current for Lightly Doped MOSFETs [06009-1-06009-4]
10) Моделювання процесу створення мікрокомпонентів для вакуумної електроніки та рентгенівської оптики із застосуванням протонно-променевої літографії [06010-1-06010-5]
11) Analytical Identification Method for the Single Diode Model Parameters of a Photovoltaic Panel using Datasheet Values [06011-1-06011-4]
12) Формування багатошарових упорядкованих масивів магнітних наночастинок CoFe2O4 [06012-1-06012-5]
13) Effect of Electron Irradiation on Conductivity Anisotropy in n-InSe [06013-1-06013-5]
14) Визначення температури плавлення біметалевої Au@Ag наночастинки методами комп’ютерного моделювання [06014-1-06014-4]
15) Енергетичний спектр електрона та сили осциляторів внутрішньозонних квантових переходів у подвійних напівпровідникових нанокільцях у магнітному полі [06015-1-06015-6]
16) Формування ниткоподібних оксидних структур на поверхні монокристалічного арсеніду галію [06016-1-06016-4]
17) Ionizing Radiation Induced Modification of the Copper Nanotubes Structure [06017-1-06017-6]
18) Phase Composition and Crystal Structure of N4HNO3 Granules with Nanostructured Surface Porous Layer [06018-1-06018-4]
19) Computer Simulation of Electrical Characteristics of the Carbon Nanochains [06019-1-06019-6]
20) Перемішування на границях шарів багатошарових наноперіодних покриттів системи TiNх/ZrNх: моделювання та експеримент [06021-1-06021-6]
21) Influence of Ethanol and Water on Physical and Chemical Processes of Splitting of Paracetamol and Glycine [06022-1-06022-6]
22) Створення дифузійного бар’єру на міжфазній поверхні композиційних покриттів, зміцнених вуглецевими нанотрубками [06023-1-06023-5]
23) Структура і властивості вакуумно-дугових покриттів хрому і його нітридів, отриманих в умовах дії постійного і імпульсного високовольтного потенціалів зсуву [06024-1-06024-6]
24) Effect of Annealing Time on the Power Conversion Efficiency of Silicon Nanowire Based Solar Cell Prepared by Wet Diffusion Technique [06025-1-06025-4]
25) Creation of a Tunable Diode Based on Nanotubes with an Ion Gate [06026-1-06026-4]
26) Influence of the Angle of Inclination of the Plasma Flow of Carbon to the Substrate on the Electrical Capacitance and Morphology of the Surface of Carbon Coatings [06027-1-06027-3]
27) Synthesis and Optical Absorption Properties of Copper Oxide Nanoparticles for Applications in Transparent Surface Coatings and Solar Cells [06028-1-06028-2]
