Автори | О.В. Соболь1 , А.О. Мейлехов1 , Р.П. Мигущенко1 , Г.О. Постельник1 , Ю.Є. Сагаїдашніков1, В.А. Столбовий2 |
Афіліація | 1 Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Kирпичова, 2, 61002 Харків, Україна 2 Національний науковий центр Харківський фізико-технічний інститут, вул. Академічна, 1, 61108 Харків, Україна |
Е-mail | sool@kpi.kharkov.ua |
Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 6 |
Дати | Одержано 25.07.2017, опубліковано online - 24.11.2017 |
Цитування | О.В. Соболь, А.О. Мейлехов, Р.П. Мигущенко, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 6, 06021 (2017) |
DOI | 10.21272/jnep.9(6).06021 |
PACS Number(s) | 64.75.St, 81.07.Bc, 62.25. – g, 61.05.cp, 61.82.Rx |
Ключові слова | Вакуумна дуга (6) , TiNх/ZrNх, Період (14) , Потенціал зміщення (8) , Фазовий склад (34) , Структура (228) , Напружено-деформований стан (3) , Твердий розчин (27) , Комп'ютерне моделювання (3) , Твердість (67) . |
Анотація | Встановлено, що критична товщина радіаційно-стимульованого дефектоутворення істотно впливає на напружено-деформований стан і твердість покриттів з малим Λ ≈ 10 нм. При цьому відбувається релаксація напружено-деформованого стану стиснення і зменшується твердість. Однак утворення твердого розчину при збереженні частини шару нітриду титану при Λ 10 нм, який не прореагував, дозволяє отримати надвисоку (44,8 ГПа) твердість покриття. |
Перелік посилань |