Effect of Annealing Time on the Power Conversion Efficiency of Silicon Nanowire Based Solar Cell Prepared by Wet Diffusion Technique

Автори	P.V. Trinh¹ , B.H. Thang¹ , N.V. Chuc¹^,², P.N. Hong¹^,², P.N. Minh¹^,²^,³
Приналежність	¹ Institute of Materials Science, Vietnam Academy of Science and Technology, 18, Hoang Quoc Viet Str., Cau Giay Distr., Hanoi, Vietnam ² Graduate University of Science and Technology, Vietnam Academy of Science and Technology, 18, Hoang Quoc Viet Str., Cau Giay Distr., Hanoi, Vietnam ³ Center for High Technology Development, Vietnam Academy of Science and Technology, 18, Hoang Quoc Viet Str., Cau Giay Distr., Hanoi, Vietnam
Е-mail	trinhpv@ims.vast.vn, pnminh@vast.ac.vn
Випуск	Том 9, Рік 2017, Номер 6
Дати	Одержано 08.09.2017, у відредагованій формі - 15.11.2017, опубліковано online - 24.11.2017
Посилання	P.V. Trinh, B.H. Thang, N.V. Chuc, et al., J. Nano- Electron. Phys. 9 No 6, 06025 (2017)
DOI	10.21272/jnep.9(6).06025
PACS Number(s)	88.40.H, 88.40.hj
Ключові слова	Si nanowires, Solar cell (51) , Power conversion efficiency, Wet diffusion, Annealing time (2) .
Анотація	In this study, we present the effect of annealing time on the power conversion efficiency (PCE) of silicon nanowire (SiNW) based solar cell prepared by wet diffusion technique. P-typed SiNW arrays were prepared by metal assisted chemical etching (MACE) method using aqueous solution including HF (4.6 M) and AgNO3 (0.02 M). The prepared SiNWs have V-shaped structures with the wall thickness in a range from 10-50 nm and the average length of 1.5 m. The reflectance of SiNW array remained less than 20 % and lower compared to that of planar Si (38 %) in the range of 300-1000 nm due to the subwavelength light trapping and collective light scattering interactions. The wet diffusion technique was used to making p-n junctions in solar cell structure with different annealing time at 850 C. The obtained results demonstrated that the PCE increases when increasing the annealing time from 30 min to 45 min then decreases with 60 min. The highest PCE obtained with cell annealed for 45 min was measured to be 2.2 % and about 2 times and 5 times higher compared to cell annealed for 60 min and 30 min, respectively. The dependence of PCE on the annealing time is attributed to the difference in the doping diffusion depth.
	Перелік посилань Повний текст Переклад англійською

Інші статті цього номера

1) Вплив неоднорідності товщини шарів TiO2 на транспорт носіїв заряду в дисперсних сонячних елементах на барвниках [06001-1-06001-5]
2) Electrical Performance of Zinc Oxide Thin Films Transistors [06002-1-06002-5]
3) A Comparative Study of Increasing Sensitivity Based on MoS2 Gas Sensor [06003-1-06003-4]
4) Очистка кристалів Cd(Mn)Te для детекторів рентгенівського випромінювання спеціальним відпалом [06004-1-06004-5]
5) New Optimized Intermediate Band (IB) Design to Improve ZnTeO Solar Cell Performances [06005-1-06005-4]
6) New Nonrelativistic Quarkonium Masses in the Two-Dimensional Space-Phase using Bopp’s shift Method and Standard Perturbation Theory [06006-1-06006-8]
7) Розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі точкових дефектів в GaN зі структурою сфалерит: розрахунок з перших принципів [06007-1-06007-6]
8) Effects of Stone-Wales Defect Position in Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistor [06008-1-06008-5]
9) Analytical Modeling & Simulation of OFF-State Leakage Current for Lightly Doped MOSFETs [06009-1-06009-4]
10) Моделювання процесу створення мікрокомпонентів для вакуумної електроніки та рентгенівської оптики із застосуванням протонно-променевої літографії [06010-1-06010-5]
11) Analytical Identification Method for the Single Diode Model Parameters of a Photovoltaic Panel using Datasheet Values [06011-1-06011-4]
12) Формування багатошарових упорядкованих масивів магнітних наночастинок CoFe2O4 [06012-1-06012-5]
13) Effect of Electron Irradiation on Conductivity Anisotropy in n-InSe [06013-1-06013-5]
14) Визначення температури плавлення біметалевої Au@Ag наночастинки методами комп’ютерного моделювання [06014-1-06014-4]
15) Енергетичний спектр електрона та сили осциляторів внутрішньозонних квантових переходів у подвійних напівпровідникових нанокільцях у магнітному полі [06015-1-06015-6]
16) Формування ниткоподібних оксидних структур на поверхні монокристалічного арсеніду галію [06016-1-06016-4]
17) Ionizing Radiation Induced Modification of the Copper Nanotubes Structure [06017-1-06017-6]
18) Phase Composition and Crystal Structure of N4HNO3 Granules with Nanostructured Surface Porous Layer [06018-1-06018-4]
19) Computer Simulation of Electrical Characteristics of the Carbon Nanochains [06019-1-06019-6]
20) Структура і властивості плівок сульфіду кадмію, отриманих методом магнетронного розпилення [06020-1-06020-5]
21) Перемішування на границях шарів багатошарових наноперіодних покриттів системи TiNх/ZrNх: моделювання та експеримент [06021-1-06021-6]
22) Influence of Ethanol and Water on Physical and Chemical Processes of Splitting of Paracetamol and Glycine [06022-1-06022-6]
23) Створення дифузійного бар’єру на міжфазній поверхні композиційних покриттів, зміцнених вуглецевими нанотрубками [06023-1-06023-5]
24) Структура і властивості вакуумно-дугових покриттів хрому і його нітридів, отриманих в умовах дії постійного і імпульсного високовольтного потенціалів зсуву [06024-1-06024-6]
25) Creation of a Tunable Diode Based on Nanotubes with an Ion Gate [06026-1-06026-4]
26) Influence of the Angle of Inclination of the Plasma Flow of Carbon to the Substrate on the Electrical Capacitance and Morphology of the Surface of Carbon Coatings [06027-1-06027-3]
27) Synthesis and Optical Absorption Properties of Copper Oxide Nanoparticles for Applications in Transparent Surface Coatings and Solar Cells [06028-1-06028-2]