Автори | О.П. Малик , С.В. Сиротюк |
Афіліація | Національний університет «Львівська політехніка», кафедра напівпровідникової електроніки, вул.Бандери, 12, 79013 Львів, Україна |
Е-mail | omalyk@ukr.net |
Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 6 |
Дати | Одержано 20.05.2017, у відредагованій формі - 15.11.2017, опубліковано online - 24.11.2017 |
Цитування | О.П. Малик, С.В. Сиротюк, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 6, 06007 (2017) |
DOI | 10.21272/jnep.9(6).06007 |
PACS Number(s) | 72.20.Dp |
Ключові слова | Електронний транспорт (5) , Точкові дефекти (7) , DFT розрахунок. |
Анотація | Розглядаються процеси розсіяння електронів на різних точкових дефектах гратки в нітриду галію зі структурою сфалериту. У всіх розрахунках береться до уваги принцип близькодії. Елементи матриці переходу були оцінені з використанням самоузгоджених хвильової функції і потенціалу, отриманих в рамках теорії функціонала електронної густини з перших принципів. Такий підхід дозволяє уникнути використання підгінних параметрів для шести механізмів розсіювання електронів. Розраховано температурні залежності рухливості електронів в діапазоні 30-300 K. Результати, отримані за допомогою близькодіючих моделей розсіяння краще узгоджуються з експериментом, ніж у випадку використання далекодіючих моделей. Вперше отримані властивості переносу електронів з використанням близькодіючих моделей, в основі яких лежать розраховані з перших принципів за допомогою проекційних приєднаних хвиль самоузгоджені власні функції і потенціали кристала |
Перелік посилань |