Емісія фотонів при взаємодії електронів з поверхнею наногетеро структур

Автори Л.М. Маркович, М.І. Лінтур, М.В. Приходько, Г.Ю. Подгорецька
Приналежність

Ужгородський національний університет, вул. Підгірна, 46, 88000 Ужгород, Україна

Е-mail pnilfe_lyuba@mail.ru
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 3
Дати Одержано 30.11.2016, у відредагованій формі - 30.01.2017, опубліковано online - 30.06.2017
Посилання Л.М. Маркович, М.І. Лінтур, М.В. Приходько, Г.Ю. Подгорецька, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 3, 03012 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(3).03012
PACS Number(s) 78.68. + m
Ключові слова Електрон-фотонна спектроскопія (2) , Фотон (18) , Електрон (201) , Бомбардування (3) , Емісія (8) .
Анотація Одержано кількісні дані про спектральний склад та інтенсивність випромінювання в діапазоні 200 – 800 нм при опроміненні електронами з енергією Еп = 450 еВ плівок As2S3 та багатошарових плівок Se/As2S3, Тe/As2S3 та Ві/As2S3. Встановлено природу випромінювачів основних компонент, які виявлено в досліджуваних спектрах, а також місце локалізації спостережуваного свічення. Важливим результатом роботи є визначення абсолютного виходу фотонів з поверхні досліджуваних зразків, які становлять відповідно для As2S3 N1 = 1,75 · 10 – 3 фот./ел., N2 = 7,57 · 10 – 4 фот./ел. і для багатошарових плівок N3 = 1,8 · 10 – 3 фот./ел., N4 = 8,8 · 10 – 4 фот./ ел. та N5 = 1,3 · 10 – 3 фот./ел.

Перелік посилань

English version of article