Автори | О.Л. Маслянчук1, М.М. Солован1, В.В. Брус1,2, Е.В. Майструк1, С.В. Солодін1 |
Афіліація | 1 Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. М. Коцюбинського, 2, 58012 Чернівці, Україна 2 Institute for Silicon Photovoltaics, Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH, Berlin, Germany |
Е-mail | emaslyanchuk@yahoo.com |
Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 3 |
Дати | Одержано 12.04.2017, у відредагованій формі - 20.04.2017, опубліковано online - 30.06.2017 |
Цитування | О.Л. Маслянчук, М.М. Солован, В.В. Брус, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 3, 03035 (2017) |
DOI | 10.21272/jnep.9(3).03035 |
PACS Number(s) | 71.55.Gs, 73.30. + y |
Ключові слова | CdTe (15) , MoOx, Детектори випромінювання, Діоди Шотткі (4) , Перенос заряду, Струми обмежені просторовим зарядом. |
Анотація | Досліджено електричні характеристики гетероструктур Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo, виготовлених методом магнетронного напилення плівок оксиду молібдену на напівізолюючі кристали CdTe виробництва Acrorad Co. Ltd. Оптимізація умов попередньої обробки підкладинок і нанесення контактів дозволила зменшити темновий струм детектора у порівнянні з раніше отриманими аналогами і, як наслідок, покращити його спектрометричні характеристики. Проаналізовано механізми переносу заряду, які забезпечують низькі значення зворотного струму в досліджуваних структурах: генерація-рекомбінація в області просторового заряду (ОПЗ) при відносно низьких напругах і струми, обмежені просторовим зарядом, при високих напругах. Показано, що гетероструктури Mo-MoOx/р-CdTe/MoOx-Mo можуть бути використані для практичного застосування в детекторах X- и -випромінювання. |
Перелік посилань |