ISSN: 2077-6772 (Print)

e-ISSN: 2306-4277 (Online)

Raman Study of CVD Graphene Irradiated by Swift Heavy Ions

Автори	E.A. Kolesov¹, M.S. Tivanov¹, O.V. Korolik¹, P. Yu. Apel²^,³, V.A. Skuratov²^,³^,⁴, A.M. Saad⁵, I.V. Komissarov⁶, A. Swic⁷, P.V. Żukowski⁸, T.N. Koltunowicz⁸
Афіліація	¹ Belarusian State University, 4, Nezavisimosti Ave., 220030 Minsk, Belarus ² Joint Institute for Nuclear Research, 6, Joliot-Curie, 141980 Dubna, Russia ³ Dubna State University, 141980 Dubna, Russia ⁴ National Research Nuclear University MEPhI, Moscow, Russia ⁵ Al-Balqa Applied University, PO Box 4545, 11953 Amman, Jordan ⁶ Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, 6, P. Brovka Str., 220013 Minsk, Belarus ⁷ Institute of Technological Systems of Information, Lublin University of Technology, 20-618 Lublin, Poland ⁸ Department of Electrical Devices and High Voltage Technology, Lublin University of Technology, 20-618 Lublin, Poland
Е-mail	tivanov@bsu.by, t.koltunowicz@pollub.pl
Випуск	Том 9, Рік 2017, Номер 3
Дати	Одержано 28.02.2017, у відредагованій формі - 19.03.2017, опубліковано online - 30.06.2017
Цитування	E.A. Kolesov, M.S. Tivanov, O.V. Korolik, et al., J. Nano- Electron. Phys. 9 No 3, 03020 (2017)
DOI	10.21272/jnep.9(3).03020
PACS Number(s)	81.05.ue, 61.48.Gh, 78.30.Ly, 61.80. – x
Ключові слова	Irradiated graphene, Defects (12) , Raman spectroscopy (18) , CVD (25) , Swift heavy ions (3) .
Анотація	CVD-graphene on silicon was irradiated by accelerated heavy ions (Xe, 160 MeV, fluence of 1011 cm 2) and characterized by Raman spectroscopy. The defectiveness of pristine graphene was found to be dominated by grain boundaries while after irradiation it was determined by both grain boundaries and vacancies. Respectively, average inter-defect distance decreased from ~ 24 to ~ 13 nm. Calculations showed that the ion irradiation resulted in a decrease in charge carrier mobility from ~ 4.0 × 103 to ~ 1.3•103 cm2/V s. The results of the present study can be used to control graphene structure, especially vacancies concentration, and charge carrier mobility.
	Перелік посилань Повний текст Переклад англійською

Інші статті цього номера

1) Вплив параметрів магнітного та немагнітного шарів на процеси дисипації у багатошарових наноструктурах з антиферомагнітним компонентом [03001-1-03001-6]
2) Опір інтеркальованих сполук графіту з бромом та хлоридом алюмінію під тиском [03002-1-03002-7]
3) Структурна інженерія багатошарових вакуумно-дугових нітридних покриттів на основі Ti, Cr, Mo і Zr [03003-1-03003-6]
4) Effect of Sprayed Solution Volume on Structural and Optical Properties of Nickel Oxide Thin Films [03004-1-03004-5]
5) Отримання блокових наноструктур на поверхні фосфіду індію [03005-1-03005-5]
6) Отримання аморфно-нанокристалічних сплавівчастковою кристалізацією металевих стекол [03006-1-03006-4]
7) Investigating the Band Alignment of Zn(O, S) with Kesterite (Cu2ZnSnS4) Material for Photovoltaic Application [03007-1-03007-4]
8) Exploring the Structural Stability and Electronic Properties of VS2 Nanostructures – a DFT Study [03008-1-03008-4]
9) Отримання плівок ZnSe в лужному електроліті [03009-1-03009-5]
10) Solution Processed AZO Thin Films Prepared from Different Source Materials [03010-1-03010-4]
11) Effect of Electrochemical Introduction of Cobalt Ions on the Properties of Carbon-porous Materials as an Electrode Component Supercapacitor [03011-1-03011-5]
12) Емісія фотонів при взаємодії електронів з поверхнею наногетеро структур [03012-1-03012-4]
13) Modeling, Simulation and Implementation of PV Cell/Modules Using PSpice [03013-1-03013-5]
14) Тангенс кута механічних втрат полівінилхлориду, наповненого нанодисперсними металами та графітом [03014-1-03014-5]
15) Тонкі плівки телуриду кадмію для гнучких сонячних елементів, отримані методом магнетронного розпилення [03015-1-03015-7]
16) Коінтеркалатні напівпровідники GaSe(InSe) з гостьовим мультифероїком NaNO2 + FeSO4 [03016-1-03016-7]
17) Про пов'язаність електронних і механічних процесів при прийомі звуку в п'єзокерамічному середовищі циліндричного перетворювача в присутності плоского екрану [03017-1-03017-6]
18) A DFT Study of Hydrogen Adsorption onto Graphene: Effect of Nitrogen Doping [03018-1-03018-5]
19) 1.5 μm Solid-state Lasers with Diode Pumping [03019-1-03019-6]
20) A Recent Study of Excited Energy Levels of Diatomics for Modified more General Exponential Screened Coulomb Potential: Extended Quantum Mechanics [03021-1-03021-6]
21) Методика визначення фізико-механічних параметрів п'єзоелектричної кераміки [03022-1-03022-6]
22) Ріст масиву наночастинок золота з водного розчину на електропровідних поверхнях [03023-1-03023-4]
23) Вплив обробки поверхні Si на електричні властивості гетероструктур p-NiO/n-Si [03024-1-03024-4]
24) Study of Structural Evolution and Magnetic Behavior of Ni50Mn45Sn5 Alloy [03025-1-03025-5]
25) Формування квантових точок InAs в матриці GaAs у кінетичному режимі для CVD-методу [03026-1-03026-4]
26) CdS Nanoparticles: A Facile route to Size-Controlled Synthesis of Quantum Dots on a Polymer Matrix [03027-1-03027-5]
27) Властивості повного фононного спектра анізотропних одно- і тришарових вюрцитних наносистем [03028-1-03028-6]
28) Investigation of Thermal Stability of Red Emitting SrGd2(1 – x)Eu2xO4 Phosphors for Lighting and Display Applications [03029-1-03029-4]
29) Influence of the Space Charge on Tunneling of Electrons and Their Conductivity by the Resonance Tunneling Structures in the Constant Electric Field [03030-1-03030-8]
30) New Non-relativistic Bound States Solutions for Modified Kratzer Potential in One-electron Atoms [03031-1-03031-7]
31) Деформаційний потенціал акустичної квазірелеєвської хвилі, взаємодіючої з адсорбованими атомами [03032-1-03032-5]
32) Кінетика сильно нерівноважного магнонного газу за умов Бозе-Ейнштейнівської конденсації [03033-1-03033-4]
33) A Novel Enhanced-Majority-Voter Universal Gate in Quantum Dot Cellular Automata with Energy Dissipation Analysis [03034-1-03034-7]
34) CdTe детектори Х/γ- випромінювання з MoOx контактами [03035-1-03035-4]
35) Структура гранул магнітних нанопорошків нікель-цинкового фериту, отриманого кріохімічним методом [03036-1-03036-5]
36) Методологія та алгоритм багатокомпонентного аналізу позитронних анігіляційних спектрів для наноструктурованих функціональних матеріалів [03037-1-03037-6]
37) Numerical Simulation of Tin Based Perovskite Solar Cell: Effects of Absorber Parameters and Hole Transport Materials [03038-1-03038-4]
38) Негативна групова швидкість поверхневих поляритонів у металевій плівковій наноструктурі [03039-1-03039-4]
39) Thickness-dependent Electrochromic Properties of Amorphous Tungsten Trioxide Thin Films [03040-1-03040-4]
40) PbS-ZnO Solar Cell: A Numerical Simulation [03041-1-03041-4]
41) Artificial Neural Network Modeling of NixMnxOx based Thermistor for Predicative Synthesis and Characterization [03042-1-03042-4]
42) Effect of Annealing in Physical Properties of NiO Nanostructure Thin Film [03043-1-03043-3]
43) 2D Few Cycle Optical Pulses in Silicene in the Presence of External Electric Field [03044-1-03044-3]
44) Вплив адитивного гаусового шуму на фазову діаграму режимів фрагментації металу при інтенсивній пластичній деформації [03045-1-03045-8]
45) Comparative Analysis of Sensor Activity of Carbon Nanotubes Modified with Functional Groups [03046-1-03046-3]