Автори | Г.П. Пархоменко , М.М. Солован , П.Д. Мар’янчук |
Приналежність | Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012 Чернівці, Україна |
Е-mail | |
Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 3 |
Дати | Одержано 20.02.2017, опубліковано online - 30.06.2017 |
Посилання | Г.П. Пархоменко, М.М. Солован, П.Д. Мар’янчук, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 3, 03024 (2017) |
DOI | 10.21272/jnep.9(3).03024 |
PACS Number(s) | 73.40. – c |
Ключові слова | Гетероструктура (16) , Тонка плівка (23) , Механізми струмопереносу (4) , NiO (20) , Si (554) . |
Анотація | Виготовлені гетероструктури p-NiO/n-Si методом реактивного магнетронного напилення тонких плівок оксиду нікелю на підкладки з кристалів n-Si. Показано вплив обробки підкладок Si на електричні властивості гетероструктур. Досліджено їх темнові вольт-амперні характеристики при кімнатній температурі. Встановлено, що основними механізмами струмопереносу при прямому зміщенні є багатоступінчатий тунельний механізм струмопереносу за участю поверхневих станів на межі поділу p-NiO/n-Si і тунелювання, при зворотних зміщеннях - тунелювання та емісія Френкеля-Пула. |
Перелік посилань English version of article |