Тонкі плівки телуриду кадмію для гнучких сонячних елементів, отримані методом магнетронного розпилення

Автори Р.В. Зайцев1 , Г.С. Хрипунов1 , Н.В. Веселова1, М.В. Кириченко1 , М.М. Харченко1, Л.В. Зайцева2
Приналежність

1 Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Кирпичова, 2, 61002 Харків, Україна

2 Національний аерокосмічний університет «Харківський авіаційний інститут», вул. Чкалова, 17, 61070 Харків, Україна

Е-mail
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 3
Дати Одержано 03.04.2017, у відредагованій формі - 17.04.2017, опубліковано online - 30.06.2017
Посилання Р.В. Зайцев, Г.С. Хрипунов, Н.В. Веселова, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 3, 03015 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(3).03015
PACS Number(s) 68.37._d, 75.70.Ak
Ключові слова Плівковий фотоелектричний перетворювач на основі сульфіду та телуриду кадмію, Метод магнетронного розпилення на постійному струмі (2) , «Хлоридна» обробка (2) , Гексагональная і кубічна модифікація.
Анотація З метою створення тонкоплівкових фотоелектричних перетворювачів на основі сульфіду та телуриду кадмію проведені експериментальні дослідження процесу магнетронного розпилення на постійному струмі телуриду кадмію і вплив режимів магнетронного розпилення на кристалічну структуру плівок CdTe. Вперше на гнучких поліамідних підкладках методом магнетронного розпилення на постійному струмі отримані плівки CdTe для базових шарів плівкових фотоелектричних перетворювачів. Експериментально показано, що «хлоридна» обробка отриманих шарів телуриду кадмію призводить до трансформації метастабільною гексагональної модифікації телуриду кадмію в стабільну кубічну. При цьому за рахунок евтектичною перекристалізації спостерігається зростання розмірів областей когерентного розсіювання на порядок та зниження в 1,5 рази рівня мікродеформацій.

Перелік посилань