Формування квантових точок InAs в матриці GaAs у кінетичному режимі для CVD-методу

Автори С.К. Губа
Приналежність

Національний університет «Львівська політехніка», вул. С. Бандери, 12, 79013 Львів, Україна

Е-mail gubask@polynet.lviv.ua
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 3
Дати Одержано 14.02.2017, у відредагованій формі - 27.02.2017, опубліковано online - 30.06.2017
Посилання С.К. Губа, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 3, 03026 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(3).03026
PACS Number(s) 68.65. Hb, 81.10.Aj
Ключові слова Квантова точка (10) , Самоорганизація, Кінетичний режим, CVD – метод.
Анотація Представлені теоретичні результати дослідження у кінетичному режимі формування квантових точок InAs в системі InAs/GaAs. Теорія може бути використана на кінетичній стадії, коли ансамбль квантових точок є невзамодіючим. Проведені оціночні розрахунки характеристик кінетики формування КТ InAs в матриці GaAs, та їх структурних властивостей для CVD – методу. Розраховані результати можуть бути використані для аналізу та оптимізації технології гетеронаноструктур In1 – xGaxAs/InAs/GaAs для CVD – методу. Крім того вони корисні для моделювання структурних властивостей КТ InAs в системі InAs/GaAs.

Перелік посилань

English version of article