Автори | Т.І. Полек, Д.Д. Яремкевич, І.М. Козак , А.Ф. Кравець |
Афіліація | Інститут магнетизму, НАН України і МОН України, бул. Вернадського, 36-б, 03142 Київ, Україна |
Е-mail | irinkm@ukr.net |
Випуск | Том 9, Рік 2017, Номер 3 |
Дати | Одержано 03.04.2017, опубліковано online - 30.06.2017 |
Цитування | Т.І. Полек, Д.Д. Яремкевич, І.М. Козак, А.Ф. Кравець, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 3, 03001 (2017) |
DOI | 10.21272/jnep.9(3).03001 |
PACS Number(s) | 76.50. + g, 76.20. + q, 75.75. + a, 61.46. – w |
Ключові слова | Багатошарова наноструктура (2) , Магнітна релаксація, Спінова накачка, Феромагнітний резонанс (3) , Намагніченість (8) , Анізотропія (19) . |
Анотація | У даній роботі виконано експериментальні дослідження магнітної релаксації у багатошарових наноструктурах АФМ/Cu/ФМ (АФМ Mn80Ir20 – антиферомагнетик, ФМ Ni80Fe20 – феромагнетик) з різними товщинами магнітного та немагнітного (Сu) шарів. Зразки були виготовлені методом магнетронного напилення. Ефекти спінової накачки в системі ФМ/АФМ спостерігалися з використанням методу феромагнітного резонансу (ФМР), а саме, по уширенню лінії ФМР. У результаті виконання роботи знайдено магнітні параметри зразків, зокрема величину намагніченості та одноосної анізотропії. Аналізуючи експериментальні дані та провівши моделювання, знайдено внесок в параметр затухання намагніченості, викликаний ефектом спінової накачки (sp) для кожного зі зразків серії. Встановлено, що на величину sp впливає як товщина магнітного, так і (в певних випадках) немагнітного шарів. Отримані результати є корисними для подальшого дослідження дисипативних явищ у спінтронних пристроях на основі антиферомагнетиків. |
Перелік посилань English version of article |