Вплив параметрів магнітного та немагнітного шарів на процеси дисипації у багатошарових наноструктурах з антиферомагнітним компонентом

Автори Т.І. Полек, Д.Д. Яремкевич, І.М. Козак , А.Ф. Кравець
Приналежність

Інститут магнетизму, НАН України і МОН України, бул. Вернадського, 36-б, 03142 Київ, Україна

Е-mail irinkm@ukr.net
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 3
Дати Одержано 03.04.2017, опубліковано online - 30.06.2017
Посилання Т.І. Полек, Д.Д. Яремкевич, І.М. Козак, А.Ф. Кравець, Ж. нано- електрон. фіз. 9 № 3, 03001 (2017)
DOI 10.21272/jnep.9(3).03001
PACS Number(s) 76.50. + g, 76.20. + q, 75.75. + a, 61.46. – w
Ключові слова Багатошарова наноструктура (2) , Магнітна релаксація, Спінова накачка, Феромагнітний резонанс (3) , Намагніченість (7) , Анізотропія (19) .
Анотація У даній роботі виконано експериментальні дослідження магнітної релаксації у багатошарових наноструктурах АФМ/Cu/ФМ (АФМ  Mn80Ir20 – антиферомагнетик, ФМ  Ni80Fe20 – феромагнетик) з різними товщинами магнітного та немагнітного (Сu) шарів. Зразки були виготовлені методом магнетронного напилення. Ефекти спінової накачки в системі ФМ/АФМ спостерігалися з використанням методу феромагнітного резонансу (ФМР), а саме, по уширенню лінії ФМР. У результаті виконання роботи знайдено магнітні параметри зразків, зокрема величину намагніченості та одноосної анізотропії. Аналізуючи експериментальні дані та провівши моделювання, знайдено внесок в параметр затухання намагніченості, викликаний ефектом спінової накачки (sp) для кожного зі зразків серії. Встановлено, що на величину sp впливає як товщина магнітного, так і (в певних випадках) немагнітного шарів. Отримані результати є корисними для подальшого дослідження дисипативних явищ у спінтронних пристроях на основі антиферомагнетиків.

Перелік посилань

English version of article