Визначення товщини активної області Si-PIn детектора за залежністю інтенсивності аналітичних ліній однокомпонентних еталонів від довжини хвилі

Автори А.О. Мамалуй Л.П. Фоміна, А.І. Михайлов
Приналежність Національний технічний університет «Харьківський політехнічний інститут» вул. Фрунзе, 21, 61002, Харків, Україна
Е-mail m_if@ukr.net
Випуск Том 2, Рік 2010, Номер 4
Дати Одержано 23.12.2010, у відредагованій формі – 15.01.2011
Посилання А.О. Мамалуй Л.П. Фоміна, А.І. Михайлов, Ж. нано- електрон. фіз. 2 №4, 115 (2010)
DOI
PACS Number(s) 07.85.Fv
Ключові слова Рентгенівське флуоресцентне випромінювання, Аналітичні лінії, Детектор (17) , Активна зона, Вторинний випромінювач.
Анотація
Пропонується проста процедура визначення товщини активної області детектора, при якої як відомі потоки використовуються потоки аналітичних ліній флуоресцентного випромінювання однокомпонентних зразків при їхньому збудженні монохроматичним випромінюванням вторичного випромінювача. Порівняння експериментальної і розрахункової кривих залежності інтенсивності аналітичних ліній від довжини хвилі дозволяє визначити товщину активної області d = 170 мкм з точністю ± 10 мкм.

Перелік посилань