Стохастична динаміка намагніченості наночастинки у циркулярно-поляризованому магнітному полі
| Автори | О.Ю. Поляков , Т.В. Лютий |
| Афіліація | Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007, Суми, Україна |
| Е-mail | polyakov@oeph.sumdu.edu.ua |
| Випуск | Том 2, Рік 2010, Номер 4 |
| Дати | Одержано 12.11.2010, у відредагованій формі – 29.12.2010 |
| Цитування | О.Ю. Поляков, Т.В. Лютий, Ж. нано- електрон. фіз. 2 №4, 12 (2010) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 05.10.Ln; 75.50.Tt; 75.75. + a; 75.60. – d |
| Ключові слова | Феромагнітна наночастинка (4) , Циркулярно-поляризоване магнітне поле, Стохастичне рівняння Ландау-Ліфшиця (3) , Час перемагнічування. |
| Анотація |
Наведені результати чисельного долсідження сумісного впливу циркулярно-поляризованого магнітного поля і теплових флуктуацій на динаміку одновісної феромагнітної наночастинки. В основу моделі обєкту, що вивчається, покладено стохастичне рівняння Ландау-Ліфшиця. Дослідження спрямовані на пошук оптимальних параметрів перемикання магнітного моменту між двома стійкими станами, які зумовлені одноосною анізотропією. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Оцінка розміру та концентрації наночастинок срібла у водному зависі зі спектрів екстинкції [005-011]2) Самосинхронізація у системі нелінійних осциляторів ван Дер Поля [022-030]
3) Дифузійний ріст і морфологічна стійкість двовимірного виділення нової фази, розташованого на міжзеренній границі [031-046]
4) Експериментальна установка та методика моделювання просторових хвиль у багатозв'язних квазіоптичних системах з періодичними неоднорідностями [047-058]
5) Моделювання на атомарному рівні еволюції вакансійних пор в опромінених матеріалах [059-074]
6) Вплив концентрації носіїв заряду фосфіда індію на формування поруватого шару [075-081]
7) Структурно-фазовий стан та оптичнi властивостi покриттiв з ZnO [082-089]
8) Оцінка ширини пучка у магнітному мас-спектрометрі [090-095]
9) Магніторезистивні властивості плівок Fe і мультишарів на їх основі [096-114]
10) Визначення товщини активної області Si-PIn детектора за залежністю інтенсивності аналітичних ліній однокомпонентних еталонів від довжини хвилі [115-118]
