Вплив концентрації носіїв заряду фосфіда індію на формування поруватого шару
| Автори | Я.О. Cичікова1, В.В. Кідалов1 , Г.О. Сукач2 |
| Приналежність | 1 Бердянский державний педагогічний університет, вул. Шмідта 4, 71118, Бердянськ, Україна 2 Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки 41, 03028, Київ, Україна |
| Е-mail | yanasuchikova@mail.ru |
| Випуск | Том 2, Рік 2010, Номер 4 |
| Дати | Одержано 06.10.2010, у відредагованій формі – 08.01.2011 |
| Посилання | Я.О. Cичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач, Ж. нано- електрон. фіз. 2 №4, 75 (2010) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 61.43Gt, 78.30Fs, 78.55m |
| Ключові слова | Поруватий InP (2) , Скануюча електрона мікроскопія (3) , Наноструктури (22) , Електрохімичний процес, Сегрегація (3) . |
| Анотація |
У даній роботі представлені експериментальні результати, що демонструють вплив рівня легування фосфіду індію на формування поруватого шару на його поверхні під час електрохімічного травлення. Встановлено, що найбільш якісні поруваті шари формуються при використанні кристалів з концентрацією віль-них носіїв заряду 2,3 × 1018 см– 3. Також представлені результати досліджень шаруватої неоднорідності InP, яка пояснена з точки зору особливості техно-логічного процесу вирощування сільнолегованих кристалів. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Оцінка розміру та концентрації наночастинок срібла у водному зависі зі спектрів екстинкції [005-011]2) Стохастична динаміка намагніченості наночастинки у циркулярно-поляризованому магнітному полі [012-021]
3) Самосинхронізація у системі нелінійних осциляторів ван Дер Поля [022-030]
4) Дифузійний ріст і морфологічна стійкість двовимірного виділення нової фази, розташованого на міжзеренній границі [031-046]
5) Експериментальна установка та методика моделювання просторових хвиль у багатозв'язних квазіоптичних системах з періодичними неоднорідностями [047-058]
6) Моделювання на атомарному рівні еволюції вакансійних пор в опромінених матеріалах [059-074]
7) Структурно-фазовий стан та оптичнi властивостi покриттiв з ZnO [082-089]
8) Оцінка ширини пучка у магнітному мас-спектрометрі [090-095]
9) Магніторезистивні властивості плівок Fe і мультишарів на їх основі [096-114]
10) Визначення товщини активної області Si-PIn детектора за залежністю інтенсивності аналітичних ліній однокомпонентних еталонів від довжини хвилі [115-118]
