Вплив концентрації носіїв заряду фосфіда індію на формування поруватого шару

Автори Я.О. Cичікова1, В.В. Кідалов1 , Г.О. Сукач2
Приналежність

1 Бердянский державний педагогічний університет, вул. Шмідта 4, 71118, Бердянськ, Україна

2 Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, пр. Науки 41, 03028, Київ, Україна

Е-mail yanasuchikova@mail.ru
Випуск Том 2, Рік 2010, Номер 4
Дати Одержано 06.10.2010, у відредагованій формі – 08.01.2011
Посилання Я.О. Cичікова, В.В. Кідалов, Г.О. Сукач, Ж. нано- електрон. фіз. 2 №4, 75 (2010)
DOI
PACS Number(s) 61.43Gt, 78.30Fs, 78.55m
Ключові слова Поруватий InP (2) , Скануюча електрона мікроскопія (3) , Наноструктури (18) , Електрохімичний процес, Сегрегація (2) .
Анотація
У даній роботі представлені експериментальні результати, що демонструють вплив рівня легування фосфіду індію на формування поруватого шару на його поверхні під час електрохімічного травлення. Встановлено, що найбільш якісні поруваті шари формуються при використанні кристалів з концентрацією віль-них носіїв заряду 2,3 × 1018 см– 3. Також представлені результати досліджень шаруватої неоднорідності InP, яка пояснена з точки зору особливості техно-логічного процесу вирощування сільнолегованих кристалів.

Перелік посилань