Моделювання на атомарному рівні еволюції вакансійних пор в опромінених матеріалах
| Автори | О.І. Кульментьєв |
| Приналежність | Інститут прикладної фізики НАН України, вул. Петропавлівська, 58, 40000, Суми, Україна |
| Е-mail | kulmentev@mail.ru |
| Випуск | Том 2, Рік 2010, Номер 4 |
| Дати | Одержано 15.12.2010, у відредагованій формі – 13.01.2011 |
| Посилання | О.І. Кульментьєв, Ж. нано- електрон. фіз. 2 №4, 59 (2010) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 61.72.J – , 07.05.Tp |
| Ключові слова | Комп’ютерне моделювання (3) , Реакторне матеріалознавство (2) , Просторово-часові рівні (2) , Вакансійні пори (2) , Аналіз спільних найближчих сусідів, Нанофізика (8) . |
| Анотація |
Запропоновано метод, який дозволяє в багаторівневому моделюванні реакторних матеріалів виділяти на атомарному рівні підмножину атомів, що утворюють границю вакансійної пори. Здійснено комп’ютерний експеримент, за допомогою якого імітується процес стиснення початково сферичної пори. Отримані залежності параметрів форми пори від коефіцієнта стиснення і здійснено їх порівняння з аналітичними виразами. Показано, що метод дозволяє визначити фазу стиснення пори і найімовірніший напрям еволюції. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Оцінка розміру та концентрації наночастинок срібла у водному зависі зі спектрів екстинкції [005-011]2) Стохастична динаміка намагніченості наночастинки у циркулярно-поляризованому магнітному полі [012-021]
3) Самосинхронізація у системі нелінійних осциляторів ван Дер Поля [022-030]
4) Дифузійний ріст і морфологічна стійкість двовимірного виділення нової фази, розташованого на міжзеренній границі [031-046]
5) Експериментальна установка та методика моделювання просторових хвиль у багатозв'язних квазіоптичних системах з періодичними неоднорідностями [047-058]
6) Вплив концентрації носіїв заряду фосфіда індію на формування поруватого шару [075-081]
7) Структурно-фазовий стан та оптичнi властивостi покриттiв з ZnO [082-089]
8) Оцінка ширини пучка у магнітному мас-спектрометрі [090-095]
9) Магніторезистивні властивості плівок Fe і мультишарів на їх основі [096-114]
10) Визначення товщини активної області Si-PIn детектора за залежністю інтенсивності аналітичних ліній однокомпонентних еталонів від довжини хвилі [115-118]
