Структурно-фазовий стан та оптичнi властивостi покриттiв з ZnO
| Автори | О.П. Кульментьєва , А.А.-K.М. Мухаммед1, О.I. Кульментьєв2 |
| Приналежність | 1 Сумський державний унiверситет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007, Суми, Україна 2 Iнститут прикладної фiзики, вул. Петропавлiвська, 58, 40030, Суми, Україна |
| Е-mail | opkulm@mail.ru |
| Випуск | Том 2, Рік 2010, Номер 4 |
| Дати | Одержано 12.10.2010, у відредагованій формі – 22.12.2010 |
| Посилання | О.П. Кульментьєва, А.А.-K.М. Мухаммед, О.I. Кульментьєв, Ж. нано- електрон. фіз. 2 №4, 82 (2010) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 61.05.cm, 61.46.Hk, 68.37.Hk, 81.15. – z |
| Ключові слова | Нанокристалична структура, Покриття (76) , Фазовий склад (33) , Скануюча электронна мiкроскопiя, Ширшина забороненої зони. |
| Анотація |
У роботi представленi результаты експериментальних дослiджень структури, фазового склада, оптичних властивостей покриттiв з оксиду цинка, отриманних при рiзних температурах методом химiчного осадження з парової фази. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Оцінка розміру та концентрації наночастинок срібла у водному зависі зі спектрів екстинкції [005-011]2) Стохастична динаміка намагніченості наночастинки у циркулярно-поляризованому магнітному полі [012-021]
3) Самосинхронізація у системі нелінійних осциляторів ван Дер Поля [022-030]
4) Дифузійний ріст і морфологічна стійкість двовимірного виділення нової фази, розташованого на міжзеренній границі [031-046]
5) Експериментальна установка та методика моделювання просторових хвиль у багатозв'язних квазіоптичних системах з періодичними неоднорідностями [047-058]
6) Моделювання на атомарному рівні еволюції вакансійних пор в опромінених матеріалах [059-074]
7) Вплив концентрації носіїв заряду фосфіда індію на формування поруватого шару [075-081]
8) Оцінка ширини пучка у магнітному мас-спектрометрі [090-095]
9) Магніторезистивні властивості плівок Fe і мультишарів на їх основі [096-114]
10) Визначення товщини активної області Si-PIn детектора за залежністю інтенсивності аналітичних ліній однокомпонентних еталонів від довжини хвилі [115-118]
