Results (16):

Назва Two Dimensional Analytical Modeling for SOI and SON MOSFET and Their Performance Comparison
Автори Saptarsi Ghosh, Khomdram Jolson Singh, Sanjay Deb, Subir Kumar Sarkar
Випуск Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3
Сторінки 0569 - 0575
Назва Analytical Modeling of SON MOSFET and Realization Inverter Circuit for High Speed and Ultra Dense Low Power Circuits
Автори Kousik Naskar, C.J. Clement Singh, Subir Kumar Sarkar
Випуск Том 4, Рік 2012, Номер 2
Сторінки 02023-1 - 02023-5
Назва Design and Analysis of a High Speed, Power Efficient 8 Bit ALU Based on SOI / SON MOSFET Technology
Автори Subhramita Basak, Anindya Jana, Subir Kumar Sarkar
Випуск Том 5, Рік 2013, Номер 4
Сторінки 04062-1 - 04062-5
Назва Analysis of Voltage Transfer Characteristics of Nano-scale SOI CMOS Inverter with Variable Channel Length and Doping Concentration
Автори A. Daniyel Raj, C. Rajarajachozhan, Sanjoy Deb
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 1
Сторінки 01004-1 - 01004-4
Назва Surface Potential and Threshold Voltage Model of Fully Depleted Narrow Channel SOI MOSFET Using Analytical Solution of 3D Poisson’s Equation
Автори Prashant Mani, Manoj Kumar Pandey
Випуск Том 7, Рік 2015, Номер 2
Сторінки 02002-1 - 02002-5
Назва Comparison of Three Dimensional Partially and Fully Depleted SOI MOSFET Characteristics Using Mathcad
Автори Neha Goel, Manoj Kumar Pandey
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 1
Сторінки 01041-1 - 01041-4
Назва Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of SOI TRI-GATE FinFET Transistor
Автори Fatima Zohra Rahou, A.Guen Bouazza, B. Bouazza
Випуск Том 8, Рік 2016, Номер 4
Сторінки 04037-1 - 04037-4
Назва Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFET
Автори Neha Goel, Manoj Kumar Pandey
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 1
Сторінки 01022-1 - 01022-4
Назва Numerical Simulation and Mathematical Modeling of 3D DG SOI MOSFET with the Influence of Biasing with Back Gate
Автори Neha Goel, Manoj Kumar Pandey
Випуск Том 9, Рік 2017, Номер 5
Сторінки 05002-1 - 05002-4
Назва A Graphical Method to Study Electrostatic Potentials of 25 nm Channel Length DG SOI MOSFETs
Автори M. Djerioui, M. Hebali, D. Chalabi, A. Saidane
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 4
Сторінки 04027-1 - 04027-4
Назва An Analytical Modeling of Drain Current for Single Material Surrounded Gate Nanoscale SOI MOSFET
Автори Arjimand Ashraf, Prashant Mani
Випуск Том 10, Рік 2018, Номер 4
Сторінки 04012-1 - 04012-5
Назва Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів
Автори І.П. Бурик, А.О. Головня, М.М. Іващенко, Л.В. Однодворець
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 3
Сторінки 03005-1 - 03005-4
Назва Числове моделювання параметрів польових транзисторів GAA SiNWFET на основі нанодротів
Автори І.П. Бурик, М.М. Іващенко, А.О. Головня, Л.В. Однодворець
Випуск Том 12, Рік 2020, Номер 6
Сторінки 06012-1 - 06012-4
Назва Influence of Tunable Work Function on SOI-based DMG Multi-channel Junctionless Thin Film Transistor
Автори S. Ashok Kumar, J. Charles Pravin
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 1
Сторінки 01005-1 - 01005-4
Назва Вплив high-k діелектричних матеріалів на короткоканальні ефекти 14 нм тризатворного транзистора SOI FinFET для зменшеної площі мікросхеми
Автори S. Nanda, R.S. Dhar
Випуск Том 13, Рік 2021, Номер 3
Сторінки 03015-1 - 03015-4
Назва Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave
Автори M. Djerioui, M. Hebali, M. Abboun Abid
Випуск Том 14, Рік 2022, Номер 5
Сторінки 05025-1 - 05025-4