Назва |
Two Dimensional Analytical Modeling for SOI and SON MOSFET and Their Performance Comparison |
Автори |
Saptarsi Ghosh, Khomdram Jolson Singh, Sanjay Deb, Subir Kumar Sarkar |
Випуск |
Том 3, Рік 2011, Номер 1, Part 3 |
Сторінки |
0569 - 0575 |
Назва |
Analytical Modeling of SON MOSFET and Realization Inverter Circuit for High Speed and Ultra Dense Low Power Circuits |
Автори |
Kousik Naskar, C.J. Clement Singh, Subir Kumar Sarkar |
Випуск |
Том 4, Рік 2012, Номер 2 |
Сторінки |
02023-1 - 02023-5 |
Назва |
Design and Analysis of a High Speed, Power Efficient 8 Bit ALU Based on SOI / SON MOSFET Technology |
Автори |
Subhramita Basak, Anindya Jana, Subir Kumar Sarkar |
Випуск |
Том 5, Рік 2013, Номер 4 |
Сторінки |
04062-1 - 04062-5 |
Назва |
Comparison of Three Dimensional Partially and Fully Depleted SOI MOSFET Characteristics Using Mathcad |
Автори |
Neha Goel, Manoj Kumar Pandey |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 1 |
Сторінки |
01041-1 - 01041-4 |
Назва |
Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of SOI TRI-GATE FinFET Transistor |
Автори |
Fatima Zohra Rahou, A.Guen Bouazza, B. Bouazza |
Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
Сторінки |
04037-1 - 04037-4 |
Назва |
Design Device for Subthreshold Slope in DG Fully Depleted SOI MOSFET |
Автори |
Neha Goel, Manoj Kumar Pandey |
Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 1 |
Сторінки |
01022-1 - 01022-4 |
Назва |
A Graphical Method to Study Electrostatic Potentials of 25 nm Channel Length DG SOI MOSFETs |
Автори |
M. Djerioui, M. Hebali, D. Chalabi, A. Saidane |
Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 4 |
Сторінки |
04027-1 - 04027-4 |
Назва |
An Analytical Modeling of Drain Current for Single Material Surrounded Gate Nanoscale SOI MOSFET |
Автори |
Arjimand Ashraf, Prashant Mani |
Випуск |
Том 10, Рік 2018, Номер 4 |
Сторінки |
04012-1 - 04012-5 |
Назва |
Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів |
Автори |
І.П. Бурик, А.О. Головня, М.М. Іващенко, Л.В. Однодворець |
Випуск |
Том 12, Рік 2020, Номер 3 |
Сторінки |
03005-1 - 03005-4 |
Назва |
Числове моделювання параметрів польових транзисторів GAA SiNWFET на основі нанодротів |
Автори |
І.П. Бурик, М.М. Іващенко, А.О. Головня, Л.В. Однодворець |
Випуск |
Том 12, Рік 2020, Номер 6 |
Сторінки |
06012-1 - 06012-4 |
Назва |
Influence of Tunable Work Function on SOI-based DMG Multi-channel Junctionless Thin Film Transistor |
Автори |
S. Ashok Kumar, J. Charles Pravin |
Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 1 |
Сторінки |
01005-1 - 01005-4 |
Назва |
Вплив розмірів пристрою на електричні властивості DG-SOI-MOSFET за допомогою програмного забезпечення Octave |
Автори |
M. Djerioui, M. Hebali, M. Abboun Abid |
Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
Сторінки |
05025-1 - 05025-4 |