Analytical Modeling of SON MOSFET and Realization Inverter Circuit for High Speed and Ultra Dense Low Power Circuits
| Автори | Kousik Naskar, C.J. Clement Singh, Subir Kumar Sarkar |
| Приналежність | Department of Electronics & Telecommunication Engineering, Jadavpur University, Kolkata-700032, India |
| Е-mail | kousik_naskar@yahoo.co.in |
| Випуск | Том 4, Рік 2012, Номер 2 |
| Дати | Received 10 February 2012; published online 04 June 2012 |
| Посилання | Kousik Naskar, C.J. Clement Singh, Subir Kumar Sarkar, J. Nano-Electron. Phys. 4 No 2, 23 (2012) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 4.30. – r, 85.30.De, 85.40.Bh, 85.40.Qx, |
| Ключові слова | SON (36) , SOI (16) , Dual Material Gate, MEDICI (2) , Inverter (2) , Short Channel Effects (5) . |
| Анотація | In the recent years, there has been considerable interest in the realization of high speed, small-size and low-power consuming devices and systems. As a consequence, the search for new principle of operation of the small-size, high speed and low-power device is becoming more and more important. In our earlier paper, it has been established that SON technology, not only improve the dc performance with reduce a short-channel effect and threshold voltage, it also improves the frequency response due to improvement in conductance and reduced parasitic effect. Further, it is already in our knowledge that SCEs are suppressed in dual material gate MOSFETs because of the perceivable step in the surface-potential profile, which screens the drain potential. The concept of dual material gate has been applied to SON MOSFETs structure and the features exhibited by resulting new SON structure has been examined for the first time by developing an analytical model and the result agree well with the MEDICI simulation values. In order to substantiate the merits of the proposed SON MOSFETs, a MOS Inverter is realized using the SON MOSFETs and its performance is investigated as an aid to the high-speed, ultra-dense and low-power circuit related work. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Numerical Simulation of Intensity Fluctuations in Random Laser Systems [02001-1-02001-5]2) High Second-Order Nonlinear Susceptibility Induced in GaN/AlxGa1 – xN Coupled Quantum Well for Infrared Photodectors Application [02002-1-02002-3]
3) Фильтрація об’ємних спінових хвиль на межі двох одновісних феромагнітних середовищ [02003-1-02003-3]
4) Design and Implementation of a Hybrid SET-CMOS Based Sequential Circuits [02004-1-02004-5]
5) Overview of Bottom-up Nano Electronics Materials and Its Application [02005-1-02005-8]
6) Electrical Transport Characteristics and Deep Level Transient Spectroscopy of Ni/V/n-InP Schottky Barrier Diodes [02006-1-02006-9]
7) Nanostructure Zinc Oxide with Cobalt Dopant by PLD for Gas Sensor Applications [02007-1-02007-6]
8) Superconducting State Parameters of Binary Superconductors [02008-1-02008-7]
9) Prospects of III-Vs for Logic Applications [02009-1-02009-5]
10) The Role of Interactions in Systems of Single Domain Ferrimagnetic Iron Oxide Nanoparticles [02010-1-02010-7]
11) Еволюція процесів росту парафазних наноструктур телуриду свинцю [02011-1-02011-5]
12) Структура і електричні властивості тонких плівок чистого і легованого вісмутом телуриду свинцю [02012-1-02012-5]
13) Бездифузійна «рекристалізація» за великої одноосьової деформації [02013-1-02013-5]
14) Магніторезистивний ефект та магнітні параметри нанокристалічних плівок на основі Co, Fe, Ag та Cu [02014-1-02014-6]
15) Активні ЛВЕ-клістрони як формувачі фемтосекундних кластерів електромагнітного поля. Системи на основі двопотокової нестійкості [02015-1-02015-7]
16) Аналіз можливостей використання потенціалу міжатомної взаємодії для моделювання механічних та теплових властивостей речовини [02016-1-02016-4]
17) Квазірівноважні процеси в високозбуджених молекулах резазурину [02017-1-02017-7]
18) Зміна електрохімічних параметрів та провідних властивостей комірки з катодом на основі MgF2 у процесі циклювання [02018-1-02018-6]
19) Осциляції термоелектричних параметрів наноструктур PbTe:Bi на ситалі [02019-1-02019-6]
20) Одержання і властивості гібридних колоїдних наночастинок Au-CdSe [02020-1-02020-3]
21) Quantum Confinement in Cadmium Selenide Multilayer Thin Films Using Physical Vapour Deposition Method [02021-1-02021-3]
22) Fabrication of Low-Roughness Au/Ti/ SiO2/Si Substrates for Nanopatterning of 16-Mercapto Hexadecanoic Acid (MHA) by Dip-Pen-Nanolithography [02022-1-02022-4]
23) Effect of Impurity Concentration on the Depth Profile of the Electric Field within Monolayer Thin Film [02024-1-02024-4]
24) Static and Vibrational Properties of Equiatomic Cesium-Alkali Binary Alloys [02025-1-02025-6]
25) Вплив спектральних характеристик корелюючих шумів на поведінку стохастичної системи [02026-1-02026-7]
26) Кореляційні ефекти в біологічних мережах [02027-1-02027-4]
27) Одностороннє проходження при розповсюдженні хвилі уздовж границі розділу анізотропних середовищ [02028-1-02028-4]
28) До питання про механізми світіння поверхні металу при бомбардуванні його інтенсивним потоком електронів [02029-1-02029-4]
29) Електрохемілюмінесцентні властивості органічних плівок з введеними вуглецевими нанотрубками [02030-1-02030-4]
30) Методика визначення коефіцієнта пружності міжатомного зв’язку на основі експериментальної кривої навантаження [02031-1-02031-4]
31) Ефект втягування для тангенціального напрямку осі анізотропії в анізотропному середовищі [02032-1-02032-6]
32) Застосування волоконо-оптичних датчиків для визначення розмірів наночастинок у хімічних реакторах [02033-1-02033-4]
33) Структурні властивості стопів Zr – 12.5 % Nb та Zr – 25 % Nb з ГПУ та ОЦК ґратками: моделювання з перших принципів [02034-1-02034-6]
34) Методика розрахунку теплоємності кристалічної решітки твердого тіла з використанням потенціалу міжатомної взаємодії [02035-1-02035-3]
35) Особливості формування шарів пористого кремнію модифікованих НСl і HBr в контексті оптичних властивостей [02036-1-02036-4]
36) Активні ЛВЕ-клістрони як формувачі фемтосекундних кластерів електромагнітного поля. Нелінійна фізика прольотної секції [02037-1-02037-7]
37) Програмно-апаратний комплекс досліджень оптичних властивостей тонких плівок [02038-1-02038-6]
38) Нанокристали золота як підкладка для мікрораманівської спектроскопії [02039-1-02039-8]
39) Реалізація неоднорідного магнітного поля призмового мас-аналізатора [02040-1-02040-3]
40) Кількісне визначення контрасту електронно-мікроскопічних зображень аморфних наноматеріалів складного хімічного складу [02041-1-02041-5]
41) Топологія поверхні шаруватих кристалів p-InSe і n-SnS2-xSex (0 ≤ x ≤ 1) та гетеропереходи на їх основі [02042-1-02042-4]
42) Магніто-деформаційний ефект в двошарових плівкових системах [02043-1-02043-3]
