| Назва |
Effect of Gate Length Scaling on Various Performance Parameters in DG-FinFETs: a Simulation Study |
| Автори |
Rakesh Vaid, Meenakshi Chandel |
| Випуск |
Том 4, Рік 2012, Номер 3 |
| Сторінки |
03007-1 - 03007-6 |
| Назва |
Study of Short Channel Effects in n-FinFET Structure for Si, GaAs, GaSb and GaN Channel Materials |
| Автори |
Tawseef A. Bhat, M. Mustafa, M.R. Beigh |
| Випуск |
Том 7, Рік 2015, Номер 3 |
| Сторінки |
03010-1 - 03010-5 |
| Назва |
Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of SOI TRI-GATE FinFET Transistor |
| Автори |
Fatima Zohra Rahou, A.Guen Bouazza, B. Bouazza |
| Випуск |
Том 8, Рік 2016, Номер 4 |
| Сторінки |
04037-1 - 04037-4 |
| Назва |
Simulation and Performance Analysis of 32 nm FinFet based 4-Bit Carry Look Adder |
| Автори |
S. Rashid, S. Khan, A. Singh, |
| Випуск |
Том 9, Рік 2017, Номер 5 |
| Сторінки |
05003-1 - 05003-4 |
| Назва |
Електрична характеристика транзистора Ge-FinFET на основі нанорозмірних каналів |
| Автори |
Ahmed Mahmood, Waheb A. Jabbar, Yasir Hashim, Hadi Bin Manap |
| Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 1 |
| Сторінки |
01011-1 - 01011-5 |
| Назва |
Вплив high-K діелектричного матеріалу як буфера на аналогові та радіочастотні характеристики GS-DG-FinFET |
| Автори |
A. Pattnaik, Sruti S. Singh, S.K. Mohapatra |
| Випуск |
Том 11, Рік 2019, Номер 6 |
| Сторінки |
06028-1 - 06028-7 |
| Назва |
Числове моделювання параметрів FinFET транзисторів |
| Автори |
І.П. Бурик, А.О. Головня, М.М. Іващенко, Л.В. Однодворець |
| Випуск |
Том 12, Рік 2020, Номер 3 |
| Сторінки |
03005-1 - 03005-4 |
| Назва |
Вплив high-k діелектричних матеріалів на короткоканальні ефекти в тризатворних SOI FinFETs |
| Автори |
Zohmingmawia Renthlei, Swagat Nanda, Rudra Sankar Dhar |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 5 |
| Сторінки |
05013-1 - 05013-6 |
| Назва |
Si- and Ge-FinFET Inverter Circuits Optimization Based on Driver to Load Transistor Fin Ratio |
| Автори |
Yasir Hashim, Safwan Mawlood Hussein |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
| Сторінки |
06011-1 - 06011-4 |
| Назва |
Оцінка виготовлення пристроїв від FET до CFET: огляд |
| Автори |
J. Lakshmi Prasanna, M. Ravi Kumar, Ch. Priyanka, Chella Santhosh |
| Випуск |
Том 13, Рік 2021, Номер 6 |
| Сторінки |
06030-1 - 06030-8 |
| Назва |
Аналіз покращень струмів витоку з багатошаровим затвором high-k/метал у 10 нм напруженому каналі HOI FinFET |
| Автори |
Payal Kumari, Swagat Nanda, Priyanka Saha, Rudra Sankar Dhar |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 2 |
| Сторінки |
02004-1 - 02004-4 |
| Назва |
Аналіз потужності та порогової напруги 12T SRAM комірки 14 нм FinFET для додатків із низьким енергоспоживанням |
| Автори |
P. Parthasarathi, T.S. Arun Samuel, P. Vimala, N. Arumugam |
| Випуск |
Том 14, Рік 2022, Номер 5 |
| Сторінки |
05008-1 - 05008-6 |
| Назва |
Вивчення впливу високої температури на статичні характеристики 14 нм TG SOI N FinFET |
| Автори |
A. Lazzaz, K. Bousbahi, M. Ghamnia |
| Випуск |
Том 15, Рік 2023, Номер 2 |
| Сторінки |
02005-1 - 02005-5 |
