Результаты (7):

Заголовок Effect of Gate Length Scaling on Various Performance Parameters in DG-FinFETs: a Simulation Study
Автор(ы) Rakesh Vaid, Meenakshi Chandel
Выпуск Том 4, Год 2012, Номер 3
Страницы 03007-1 - 03007-6
Заголовок Study of Short Channel Effects in n-FinFET Structure for Si, GaAs, GaSb and GaN Channel Materials
Автор(ы) Tawseef A. Bhat, M. Mustafa, M.R. Beigh
Выпуск Том 7, Год 2015, Номер 3
Страницы 03010-1 - 03010-5
Заголовок Effects of High-k Dielectrics with Metal Gate for Electrical Characteristics of SOI TRI-GATE FinFET Transistor
Автор(ы) Fatima Zohra Rahou, A.Guen Bouazza, B. Bouazza
Выпуск Том 8, Год 2016, Номер 4
Страницы 04037-1 - 04037-4
Заголовок Simulation and Performance Analysis of 32 nm FinFet based 4-Bit Carry Look Adder
Автор(ы) S. Rashid, S. Khan, A. Singh,
Выпуск Том 9, Год 2017, Номер 5
Страницы 05003-1 - 05003-4
Заголовок Electrical Сharacterization of Ge-FinFET Transistor Based on Nanoscale Channel Dimensions
Автор(ы) Ahmed Mahmood, Waheb A. Jabbar, Yasir Hashim, Hadi Bin Manap
Выпуск Том 11, Год 2019, Номер 1
Страницы 01011-1 - 01011-5
Заголовок Impact of the High-K Dielectric Material as Spacer on Analog and RF Performance of the GS-DG-FinFET
Автор(ы) A. Pattnaik, Sruti S. Singh, S.K. Mohapatra
Выпуск Том 11, Год 2019, Номер 6
Страницы 06028-1 - 06028-7
Заголовок Numerical Simulation of FinFET Transistors Parameters
Автор(ы) І.P. Buryk, A.O. Golovnia, M.M. Ivashchenko, L.V. Odnodvorets
Выпуск Том 12, Год 2020, Номер 3
Страницы 03005-1 - 03005-4