Автори | Д.І. Курбатов |
Афіліація | Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна |
Е-mail | kurd@ukr.net |
Випуск | Том 4, Рік 2012, Номер 3 |
Дати | Одержано 30.08.2012; опубліковано online 07.11.2012 |
Цитування | Д.І. Курбатов, Ж. Нано- Електрон. Фіз. 4 № 3, 03027 (2012) |
DOI | |
PACS Number(s) | 61.72.J, 73.61.Ga |
Ключові слова | Точкові дефекти (7) , Сульфід цинку (9) , Квазіхімічний формалізм, Монокристали (8) , Плівки (135) , Концентрація дефектів. |
Анотація | В роботі з використанням традиційного квазіхімічного підходу проведено розрахунок концентрації нейтральних і заряджених точкових дефектів, положення рівня Фермі та вільних носіїв струму у монокристалах та плівках сульфіду цинку у залежності від умов їх осадження. Для розрахунків використані експериментально знайдені енергії залягання дефектів в забороненій зоні ZnS. |
Перелік посилань |