Електрофізичні властивості та структура тонких плівок стеарату натрію (С17Н35СООNa)
| Автори | O.В. Гуцул1, М.В. Шаплавський1, В.З. Слободян2 |
| Приналежність | 1 Буковинський державний медичний університет, пл. Театральна, 2, 58000 Чернівці, Україна 2 Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, вул. Коцюбинського 2, 58012 Чернівці, Україна |
| Е-mail | oksana.v.s@mail.ru |
| Випуск | Том 4, Рік 2012, Номер 3 |
| Дати | Одержано 28.06.2012; опубліковано online 30.10.2012 |
| Посилання | O.В. Гуцул, М.В. Шаплавський, В.З. Слободян, Ж. Нано- Електрон. Фіз. 4 № 3, 03008 (2012) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 73.61. – r, 73.63. – b |
| Ключові слова | Тонкі плівки (64) , Стеарат натрію, Електрофізичні властивості (7) , Система метал-плівка-метал, Вольт-амперна характеристика (11) , Поверхнево-активні речовини. |
| Анотація |
Досліджено вольт-амперні характеристики плівок стеарату натрію у змінному електричному полі. Проаналізовано динаміку утворення області просторового заряду утвореного гідрофобними шарніроподібними ланцюгами та механізм локального руйнування плівки при збільшенні напруги та час самовідновлення зруйнованої області просторового заряду. Виявлено закономірності взаємодії фіксованих зарядів плівки, утвореної аніон-активним стеаратом натрію з іонами електролітів. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Моделювання сенсора вібрацій на основі біморфної структури [02033-1-02033-7]2) Chemical, Structural and Optical Properties of ē-Beam Evaporated Tungsten Diselenide Polycrystalline Thin Film [03001-1-03001-3]
3) Sol-Gel Deposited Porogen Based Porous Low-k Thin Films for Interlayer Dielectric Application in ULSI Circuits [03002-1-03002-3]
4) Structure and Surface Analysis of SHI Irradiated Thin Films of Cadmium Telluride [03003-1-03003-4]
5) Absorption Coefficients of GaN / AlxGa1 – xN Core-Shell Spherical Quantum Dot [03004-1-03004-5]
6) Preparation and Characterization of CuO Nanoparticles by Novel Sol-Gel Technique [03005-1-03005-4]
7) Helium Induced Structural Disorder in Hydrogenated Nanocrystalline Silicon (nc-Si:H) Thin Films Prepared by HW-CVD Method [03006-1-03006-7]
8) Effect of Gate Length Scaling on Various Performance Parameters in DG-FinFETs: a Simulation Study [03007-1-03007-6]
9) Дослідження режимів руху наночастинок в рамках стохастичної системи [03009-1-03009-6]
10) Моделювання дифузійної взаємодії в двофазних системах з використанням різних типів ефективних кінетичних коефіцієнтів [03010-1-03010-9]
11) Закономірності зародкового механізму конденсації аморфних плівок халькогенідних напівпровідників [03011-1-03011-7]
12) Час перемикання магнітного моменту в циркулярно-поляризованому полі [03012-1-03012-6]
13) Оствальдове визрівання виділень малих розмірів, розташованих на міжзеренній межі, ріст яких лімітується дифузією [03013-1-03013-9]
14) Вплив відпалу на оптичні властивості та дисперсію показника заломлення нанометрових плівок CdS [03014-1-03014-4]
15) Джерела кластерного пучка. Частина 1. Методи одержання кластерних пучків [03015-1-03015-13]
16) Вплив матеріалу підкладки на магніторезистивні та магніто-оптичні властивості плівкової системи Co/Fe [03016-1-03016-6]
17) Вплив інтеркалювання кобальтом на властивості шаруватих кристалів In2Se3 [03017-1-03017-4]
18) Моделювання процесів формування іонних пучків в зондах з розподіленими системами магнітних квадрупольних лінз [03018-1-03018-5]
19) Розрахунок густини іонного струму індуктивного високочастотного джерела іонів [03019-1-03019-5]
20) Тензорезистивні властивості тонкоплівкових систем на основі Ag і Co [03020-1-03020-4]
21) Міграція домішок в структурі графена [03021-1-03021-5]
22) Числовий метод проектування несингулярного плаща–килима невидимості довільної форми [03022-1-03022-5]
23) Декодування просторових розподілень джерел іонізуючого випромінювання в системах з кодованою апертурою [03023-1-03023-5]
24) Час релаксації в пучку частинок з анізотропним розподілом швидкостей [03024-1-03024-3]
25) Фотодетектори на основі поруватого кремнію [03025-1-03025-5]
26) Асиметричність щільності розподілу об'ємного неcкомпенсованого заряду на кордоні металургійного p-n переходу [03026-1-03026-4]
27) Розрахунок ансамблю точкових дефектів у монокристалах та плівках сульфіду цинку [03027-1-03027-6]
28) Вплив поздовжнього магнітного поля на динаміку хвиль у мультигармонічному супергетеродинному ЛВЕ доплертронного типу з гвинтовим електронним пучком [06030-1-06030-1]
