Розрахунок густини іонного струму індуктивного високочастотного джерела іонів
| Автори | В.І. Возний , В.Ю. Сторіжко , В.І. Мирошніченко, Д.П. Шульга |
| Афіліація | Інститут прикладної фізики НАН України, вул. Петропавлівска, 58, 40030, Суми, Україна |
| Е-mail | vozny@ipflab.sumy.ua |
| Випуск | Том 4, Рік 2012, Номер 3 |
| Дати | Одержано 30.03.2012; у відредагованій формі - 17.09.2012; опубліковано online 30.10.2012 |
| Цитування | В.І. Возний, В.Ю. Сторіжко, В.І. Мирошніченко, Д.П. Шульга, Ж. Нано- Електрон. Фіз. 4 № 3, 03019 (2012) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 41.75.Ak, 52.50.Qt, 52.80.Pi |
| Ключові слова | ВЧ джерело іонів (2) , Іонний пучок (4) , Плазма (20) , Густина струму (5) . |
| Анотація |
Досліджувалось високочастотне (ВЧ) індуктивнe джерело іонів, що працює на частоті 27,12 МГц. Використовуючи глобальну модель аргонового розряду, розраховано густину плазми, електронну температуру та густину іонного струму ВЧ-джерела в залежності від поглиненої ВЧ-потужності і тиску газу при зміні розмірів розрядної камери. Встановлено, що густина іонного струму зростає при зменшенні розмірів розрядної камери. Розрахунки показують, що в індукційному джерелі з розрядною камерою діаметром 30 мм і довжиною 35 мм при 100 Вт поглиненої потужності і тиску аргону 7 мТорр густина іонного струму дорівнює 40 мА/см2, що добре узгоджується з експериментально виміряної величиною 43 мА/см2. При зменшенні діаметру камери до 15 мм густина іонного струму може досягати величини 85 мА/см2 при 100 Вт поглиненої ВЧ-потужності. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Моделювання сенсора вібрацій на основі біморфної структури [02033-1-02033-7]2) Chemical, Structural and Optical Properties of ē-Beam Evaporated Tungsten Diselenide Polycrystalline Thin Film [03001-1-03001-3]
3) Sol-Gel Deposited Porogen Based Porous Low-k Thin Films for Interlayer Dielectric Application in ULSI Circuits [03002-1-03002-3]
4) Structure and Surface Analysis of SHI Irradiated Thin Films of Cadmium Telluride [03003-1-03003-4]
5) Absorption Coefficients of GaN / AlxGa1 – xN Core-Shell Spherical Quantum Dot [03004-1-03004-5]
6) Preparation and Characterization of CuO Nanoparticles by Novel Sol-Gel Technique [03005-1-03005-4]
7) Helium Induced Structural Disorder in Hydrogenated Nanocrystalline Silicon (nc-Si:H) Thin Films Prepared by HW-CVD Method [03006-1-03006-7]
8) Effect of Gate Length Scaling on Various Performance Parameters in DG-FinFETs: a Simulation Study [03007-1-03007-6]
9) Електрофізичні властивості та структура тонких плівок стеарату натрію (С17Н35СООNa) [03008-1-03008-5]
10) Дослідження режимів руху наночастинок в рамках стохастичної системи [03009-1-03009-6]
11) Моделювання дифузійної взаємодії в двофазних системах з використанням різних типів ефективних кінетичних коефіцієнтів [03010-1-03010-9]
12) Закономірності зародкового механізму конденсації аморфних плівок халькогенідних напівпровідників [03011-1-03011-7]
13) Час перемикання магнітного моменту в циркулярно-поляризованому полі [03012-1-03012-6]
14) Оствальдове визрівання виділень малих розмірів, розташованих на міжзеренній межі, ріст яких лімітується дифузією [03013-1-03013-9]
15) Вплив відпалу на оптичні властивості та дисперсію показника заломлення нанометрових плівок CdS [03014-1-03014-4]
16) Джерела кластерного пучка. Частина 1. Методи одержання кластерних пучків [03015-1-03015-13]
17) Вплив матеріалу підкладки на магніторезистивні та магніто-оптичні властивості плівкової системи Co/Fe [03016-1-03016-6]
18) Вплив інтеркалювання кобальтом на властивості шаруватих кристалів In2Se3 [03017-1-03017-4]
19) Моделювання процесів формування іонних пучків в зондах з розподіленими системами магнітних квадрупольних лінз [03018-1-03018-5]
20) Тензорезистивні властивості тонкоплівкових систем на основі Ag і Co [03020-1-03020-4]
21) Міграція домішок в структурі графена [03021-1-03021-5]
22) Числовий метод проектування несингулярного плаща–килима невидимості довільної форми [03022-1-03022-5]
23) Декодування просторових розподілень джерел іонізуючого випромінювання в системах з кодованою апертурою [03023-1-03023-5]
24) Час релаксації в пучку частинок з анізотропним розподілом швидкостей [03024-1-03024-3]
25) Фотодетектори на основі поруватого кремнію [03025-1-03025-5]
26) Асиметричність щільності розподілу об'ємного неcкомпенсованого заряду на кордоні металургійного p-n переходу [03026-1-03026-4]
27) Розрахунок ансамблю точкових дефектів у монокристалах та плівках сульфіду цинку [03027-1-03027-6]
28) Вплив поздовжнього магнітного поля на динаміку хвиль у мультигармонічному супергетеродинному ЛВЕ доплертронного типу з гвинтовим електронним пучком [06030-1-06030-1]
