Фотодетектори на основі поруватого кремнію
| Автори | І.Б. Оленич , Л.С. Монастирський , Б.С. Соколовський |
| Афіліація | Львівський національний університет імені Івана Франка, вул. Драгоманова, 50, 79005 Львів, Україна |
| Е-mail | iolenych@gmail.com |
| Випуск | Том 4, Рік 2012, Номер 3 |
| Дати | Одержано 02.08.2012; опубліковано online 07.11.2012 |
| Цитування | І.Б. Оленич, Л.С. Монастирський, Б.С. Соколовський, Ж. Нано- Електрон. Фіз. 4 № 3, 03025 (2012) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 73.50.Pz, 73.63. – b |
| Ключові слова | Поруватий кремній (21) , Адсорбція (16) , Фотодетектор (3) , Фотовідгук (4) , Спектральна характеристика (2) , Вольт-амперна характеристика (12) . |
| Анотація | Досліджено електрофізичні характеристики фотодіодних структур поруватий кремній – кремнієва підкладка, модифікованих молекулами йоду. Виявлено зміну характеру вольт-амперних залежностей одержаних структур з симетричного на випрямляючий внаслідок адсорбції йоду. Вивчено спектральні характеристики фотовідгуку в діапазоні довжин хвиль 450-1100 нм, його температурну залежність в діапазоні 125-325 К та енергетичні характеристики фотовольтаїчних структур на основі поруватого кремнію. Запропоновано можливий механізм впливу адсорбції йоду на електричні та фотоелектричні властивості структур поруватий кремній/кремнієва підкладка. Отримані результати розширюють перспективу застосування поруватого кремнію у фотоелектроніці. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Моделювання сенсора вібрацій на основі біморфної структури [02033-1-02033-7]2) Chemical, Structural and Optical Properties of ē-Beam Evaporated Tungsten Diselenide Polycrystalline Thin Film [03001-1-03001-3]
3) Sol-Gel Deposited Porogen Based Porous Low-k Thin Films for Interlayer Dielectric Application in ULSI Circuits [03002-1-03002-3]
4) Structure and Surface Analysis of SHI Irradiated Thin Films of Cadmium Telluride [03003-1-03003-4]
5) Absorption Coefficients of GaN / AlxGa1 – xN Core-Shell Spherical Quantum Dot [03004-1-03004-5]
6) Preparation and Characterization of CuO Nanoparticles by Novel Sol-Gel Technique [03005-1-03005-4]
7) Helium Induced Structural Disorder in Hydrogenated Nanocrystalline Silicon (nc-Si:H) Thin Films Prepared by HW-CVD Method [03006-1-03006-7]
8) Effect of Gate Length Scaling on Various Performance Parameters in DG-FinFETs: a Simulation Study [03007-1-03007-6]
9) Електрофізичні властивості та структура тонких плівок стеарату натрію (С17Н35СООNa) [03008-1-03008-5]
10) Дослідження режимів руху наночастинок в рамках стохастичної системи [03009-1-03009-6]
11) Моделювання дифузійної взаємодії в двофазних системах з використанням різних типів ефективних кінетичних коефіцієнтів [03010-1-03010-9]
12) Закономірності зародкового механізму конденсації аморфних плівок халькогенідних напівпровідників [03011-1-03011-7]
13) Час перемикання магнітного моменту в циркулярно-поляризованому полі [03012-1-03012-6]
14) Оствальдове визрівання виділень малих розмірів, розташованих на міжзеренній межі, ріст яких лімітується дифузією [03013-1-03013-9]
15) Вплив відпалу на оптичні властивості та дисперсію показника заломлення нанометрових плівок CdS [03014-1-03014-4]
16) Джерела кластерного пучка. Частина 1. Методи одержання кластерних пучків [03015-1-03015-13]
17) Вплив матеріалу підкладки на магніторезистивні та магніто-оптичні властивості плівкової системи Co/Fe [03016-1-03016-6]
18) Вплив інтеркалювання кобальтом на властивості шаруватих кристалів In2Se3 [03017-1-03017-4]
19) Моделювання процесів формування іонних пучків в зондах з розподіленими системами магнітних квадрупольних лінз [03018-1-03018-5]
20) Розрахунок густини іонного струму індуктивного високочастотного джерела іонів [03019-1-03019-5]
21) Тензорезистивні властивості тонкоплівкових систем на основі Ag і Co [03020-1-03020-4]
22) Міграція домішок в структурі графена [03021-1-03021-5]
23) Числовий метод проектування несингулярного плаща–килима невидимості довільної форми [03022-1-03022-5]
24) Декодування просторових розподілень джерел іонізуючого випромінювання в системах з кодованою апертурою [03023-1-03023-5]
25) Час релаксації в пучку частинок з анізотропним розподілом швидкостей [03024-1-03024-3]
26) Асиметричність щільності розподілу об'ємного неcкомпенсованого заряду на кордоні металургійного p-n переходу [03026-1-03026-4]
27) Розрахунок ансамблю точкових дефектів у монокристалах та плівках сульфіду цинку [03027-1-03027-6]
28) Вплив поздовжнього магнітного поля на динаміку хвиль у мультигармонічному супергетеродинному ЛВЕ доплертронного типу з гвинтовим електронним пучком [06030-1-06030-1]
