Вплив відпалу на оптичні властивості та дисперсію показника заломлення нанометрових плівок CdS
| Автори | В.В. Кусьнеж1 , Р.Ю. Петрусь1 , Г.А. Ільчук1 , О.Я. Тузяк2 |
| Афіліація | 1 Національний університет „Львівська політехніка”, кафедра фізики, вул. С.Бандери, 12, 79013 Львів, Україна 2 Львівський національний університет імені Івана Франка, кафедра фізики твердого тіла, вул. Драгоманова, 50, 79005 Львів, Україна |
| Е-mail | w_kusnierz@polynet.lviv.ua |
| Випуск | Том 4, Рік 2012, Номер 3 |
| Дати | Одержано 07.05.2012; опубліковано online 29.10.2012 |
| Цитування | В.В. Кусьнеж, Р.Ю. Петрусь, Г.А. Ільчук, О.Я. Тузяк, Ж. Нано- Електрон. Фіз. 4 № 3, 03014 (2012) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 71.55.Gs, 81.16.Be, 68.55. – a |
| Ключові слова | Напівпровідникові плівки (5) , CdS (35) , Відпал (33) , Оптичні властивості (28) , Дисперсія показника заломлення. |
| Анотація |
У роботі досліджено оптичні властивості ультратонких (~ 50 нм) плівок CdS, одержаних хімічним поверхневим осадженням на прозорих скляних підкладках. Розглядається вплив атмосфери (Ar2, CdCl2 та повітря) термічного відпалу на спектральні залежності коефіцієнтів відбивання R(λ) та поглинання α(λ) плівок. За експериментальними характеристиками розраховано залежності коефіцієнтів екстинкції k(λ), заломлення n(λ), реальної ε1(λ) та уявної ε2(λ) частин оптичної діелектричної сталої плівок CdS відпалених у різних атмосферах. Визначено коефіцієнти формули Зельмейєра для опису залежностей n(λ) у видимій та ближній інфрачервоній області спектра. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Моделювання сенсора вібрацій на основі біморфної структури [02033-1-02033-7]2) Chemical, Structural and Optical Properties of ē-Beam Evaporated Tungsten Diselenide Polycrystalline Thin Film [03001-1-03001-3]
3) Sol-Gel Deposited Porogen Based Porous Low-k Thin Films for Interlayer Dielectric Application in ULSI Circuits [03002-1-03002-3]
4) Structure and Surface Analysis of SHI Irradiated Thin Films of Cadmium Telluride [03003-1-03003-4]
5) Absorption Coefficients of GaN / AlxGa1 – xN Core-Shell Spherical Quantum Dot [03004-1-03004-5]
6) Preparation and Characterization of CuO Nanoparticles by Novel Sol-Gel Technique [03005-1-03005-4]
7) Helium Induced Structural Disorder in Hydrogenated Nanocrystalline Silicon (nc-Si:H) Thin Films Prepared by HW-CVD Method [03006-1-03006-7]
8) Effect of Gate Length Scaling on Various Performance Parameters in DG-FinFETs: a Simulation Study [03007-1-03007-6]
9) Електрофізичні властивості та структура тонких плівок стеарату натрію (С17Н35СООNa) [03008-1-03008-5]
10) Дослідження режимів руху наночастинок в рамках стохастичної системи [03009-1-03009-6]
11) Моделювання дифузійної взаємодії в двофазних системах з використанням різних типів ефективних кінетичних коефіцієнтів [03010-1-03010-9]
12) Закономірності зародкового механізму конденсації аморфних плівок халькогенідних напівпровідників [03011-1-03011-7]
13) Час перемикання магнітного моменту в циркулярно-поляризованому полі [03012-1-03012-6]
14) Оствальдове визрівання виділень малих розмірів, розташованих на міжзеренній межі, ріст яких лімітується дифузією [03013-1-03013-9]
15) Джерела кластерного пучка. Частина 1. Методи одержання кластерних пучків [03015-1-03015-13]
16) Вплив матеріалу підкладки на магніторезистивні та магніто-оптичні властивості плівкової системи Co/Fe [03016-1-03016-6]
17) Вплив інтеркалювання кобальтом на властивості шаруватих кристалів In2Se3 [03017-1-03017-4]
18) Моделювання процесів формування іонних пучків в зондах з розподіленими системами магнітних квадрупольних лінз [03018-1-03018-5]
19) Розрахунок густини іонного струму індуктивного високочастотного джерела іонів [03019-1-03019-5]
20) Тензорезистивні властивості тонкоплівкових систем на основі Ag і Co [03020-1-03020-4]
21) Міграція домішок в структурі графена [03021-1-03021-5]
22) Числовий метод проектування несингулярного плаща–килима невидимості довільної форми [03022-1-03022-5]
23) Декодування просторових розподілень джерел іонізуючого випромінювання в системах з кодованою апертурою [03023-1-03023-5]
24) Час релаксації в пучку частинок з анізотропним розподілом швидкостей [03024-1-03024-3]
25) Фотодетектори на основі поруватого кремнію [03025-1-03025-5]
26) Асиметричність щільності розподілу об'ємного неcкомпенсованого заряду на кордоні металургійного p-n переходу [03026-1-03026-4]
27) Розрахунок ансамблю точкових дефектів у монокристалах та плівках сульфіду цинку [03027-1-03027-6]
28) Вплив поздовжнього магнітного поля на динаміку хвиль у мультигармонічному супергетеродинному ЛВЕ доплертронного типу з гвинтовим електронним пучком [06030-1-06030-1]
