Вплив інтеркалювання кобальтом на властивості шаруватих кристалів In2Se3
| Автори | В.Б. Боледзюк1 , А.Д. Шевченко2, З.Р. Кудринський1 |
| Афіліація | 1 Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення, вул. І. Вільде, 5, 58001 Чернівці, Україна 2 Інститут металофізики НАН України, бул. Академіка Вернадського, 36, 03680 Київ, Україна |
| Е-mail | chimsp@ukrpost.ua |
| Випуск | Том 4, Рік 2012, Номер 3 |
| Дати | Одержано 26.06.2012; опубліковано online 29.10.2012 |
| Цитування | В.Б. Боледзюк, А.Д. Шевченко, З.Р. Кудринський, Ж. Нано- Електрон. Фіз. 4 № 3, 03017 (2012) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 61.43.Dq, 75.50.Pp, 75.60Ej |
| Ключові слова | Інтеркалювання, Кобальт (15) , In2Se3, Магнітне поле (31) , Феромагнетизм (8) . |
| Анотація |
Досліджено вплив інтеркалювання іонів Со2+ на властивості монокристалів In2Se3. Показано, що впровадження кобальту в In2Se3 призводить до зменшення постійної гратки перпендикулярно базовій площині кристалу, залишаючи при цьому незмінним структурний тип досліджуваних зразків. В інтеркалатах Co0.15In2Se3, отриманих впровадженням кобальту в постійному магнітному полі, виявлено прояв феромагнетизму; залежність магнітного моменту кобальтових інтеркалатів In2Se3 від напруженості магнітного поля має вигляд петлі гістерезису. |
|
Перелік посилань English version of article |
Інші статті цього номера
1) Моделювання сенсора вібрацій на основі біморфної структури [02033-1-02033-7]2) Chemical, Structural and Optical Properties of ē-Beam Evaporated Tungsten Diselenide Polycrystalline Thin Film [03001-1-03001-3]
3) Sol-Gel Deposited Porogen Based Porous Low-k Thin Films for Interlayer Dielectric Application in ULSI Circuits [03002-1-03002-3]
4) Structure and Surface Analysis of SHI Irradiated Thin Films of Cadmium Telluride [03003-1-03003-4]
5) Absorption Coefficients of GaN / AlxGa1 – xN Core-Shell Spherical Quantum Dot [03004-1-03004-5]
6) Preparation and Characterization of CuO Nanoparticles by Novel Sol-Gel Technique [03005-1-03005-4]
7) Helium Induced Structural Disorder in Hydrogenated Nanocrystalline Silicon (nc-Si:H) Thin Films Prepared by HW-CVD Method [03006-1-03006-7]
8) Effect of Gate Length Scaling on Various Performance Parameters in DG-FinFETs: a Simulation Study [03007-1-03007-6]
9) Електрофізичні властивості та структура тонких плівок стеарату натрію (С17Н35СООNa) [03008-1-03008-5]
10) Дослідження режимів руху наночастинок в рамках стохастичної системи [03009-1-03009-6]
11) Моделювання дифузійної взаємодії в двофазних системах з використанням різних типів ефективних кінетичних коефіцієнтів [03010-1-03010-9]
12) Закономірності зародкового механізму конденсації аморфних плівок халькогенідних напівпровідників [03011-1-03011-7]
13) Час перемикання магнітного моменту в циркулярно-поляризованому полі [03012-1-03012-6]
14) Оствальдове визрівання виділень малих розмірів, розташованих на міжзеренній межі, ріст яких лімітується дифузією [03013-1-03013-9]
15) Вплив відпалу на оптичні властивості та дисперсію показника заломлення нанометрових плівок CdS [03014-1-03014-4]
16) Джерела кластерного пучка. Частина 1. Методи одержання кластерних пучків [03015-1-03015-13]
17) Вплив матеріалу підкладки на магніторезистивні та магніто-оптичні властивості плівкової системи Co/Fe [03016-1-03016-6]
18) Моделювання процесів формування іонних пучків в зондах з розподіленими системами магнітних квадрупольних лінз [03018-1-03018-5]
19) Розрахунок густини іонного струму індуктивного високочастотного джерела іонів [03019-1-03019-5]
20) Тензорезистивні властивості тонкоплівкових систем на основі Ag і Co [03020-1-03020-4]
21) Міграція домішок в структурі графена [03021-1-03021-5]
22) Числовий метод проектування несингулярного плаща–килима невидимості довільної форми [03022-1-03022-5]
23) Декодування просторових розподілень джерел іонізуючого випромінювання в системах з кодованою апертурою [03023-1-03023-5]
24) Час релаксації в пучку частинок з анізотропним розподілом швидкостей [03024-1-03024-3]
25) Фотодетектори на основі поруватого кремнію [03025-1-03025-5]
26) Асиметричність щільності розподілу об'ємного неcкомпенсованого заряду на кордоні металургійного p-n переходу [03026-1-03026-4]
27) Розрахунок ансамблю точкових дефектів у монокристалах та плівках сульфіду цинку [03027-1-03027-6]
28) Вплив поздовжнього магнітного поля на динаміку хвиль у мультигармонічному супергетеродинному ЛВЕ доплертронного типу з гвинтовим електронним пучком [06030-1-06030-1]
