Вплив матеріалу підкладки на магніторезистивні та магніто-оптичні властивості плівкової системи Co/Fe
| Автори | О.В. Федченко1, А.І. Салтикова2 , С.І. Проценко1 |
| Афіліація | 1 Сумський державний університет, вул. Римського-Корсакова, 2, 40007 Суми, Україна 2 Сумський державний педагогічний університет ім. А.С.Макаренка, вул. Роменська, 87, 40002, Суми, Україна |
| Е-mail | fedchenko.lena@gmail.com |
| Випуск | Том 4, Рік 2012, Номер 3 |
| Дати | Одержано 25.09.2012; у відредагованій формі - 14.10.2012; опубліковано online - 29.10.2012 |
| Цитування | О.В. Федченко, А.І. Салтикова, С.І. Проценко, Ж. Нано- Електрон. Фіз. 4 № 3, 03016 (2012) |
| DOI | |
| PACS Number(s) | 75.70.Cn, 81.15.Np |
| Ключові слова | Магніторезистивні властивості (3) , Керра ефект, Магнітна анізотропія (2) , Дифузійний профіль (3) , Коерцитивна сила (13) . |
| Анотація | Встановлено, що при орієнтованому вирощуванні плівкової системи на кристалі MgO(100) спостерігається суттєва магнітна анізотропія, що проявляється у збільшенні коерцитивної сили (Bc) у 2 рази та значній зміні магнітоопору при різних кутах повороту зразка. АСМ – дослідження показали, що шорсткість поверхні для системи Au(2 нм)/Co(30 нм)/Fe(30 нм)/MgO у чотири рази нижча порівняно зі зразком на аморфній підкладці (у невідпаленому стані). Крім того, у системах на підкладці з монокристалу оксиду магнію дифузійні процеси протікають менш інтенсивно ніж у випадку підкладки SiO2/Si. |
|
Перелік посилань |
Інші статті цього номера
1) Моделювання сенсора вібрацій на основі біморфної структури [02033-1-02033-7]2) Chemical, Structural and Optical Properties of ē-Beam Evaporated Tungsten Diselenide Polycrystalline Thin Film [03001-1-03001-3]
3) Sol-Gel Deposited Porogen Based Porous Low-k Thin Films for Interlayer Dielectric Application in ULSI Circuits [03002-1-03002-3]
4) Structure and Surface Analysis of SHI Irradiated Thin Films of Cadmium Telluride [03003-1-03003-4]
5) Absorption Coefficients of GaN / AlxGa1 – xN Core-Shell Spherical Quantum Dot [03004-1-03004-5]
6) Preparation and Characterization of CuO Nanoparticles by Novel Sol-Gel Technique [03005-1-03005-4]
7) Helium Induced Structural Disorder in Hydrogenated Nanocrystalline Silicon (nc-Si:H) Thin Films Prepared by HW-CVD Method [03006-1-03006-7]
8) Effect of Gate Length Scaling on Various Performance Parameters in DG-FinFETs: a Simulation Study [03007-1-03007-6]
9) Електрофізичні властивості та структура тонких плівок стеарату натрію (С17Н35СООNa) [03008-1-03008-5]
10) Дослідження режимів руху наночастинок в рамках стохастичної системи [03009-1-03009-6]
11) Моделювання дифузійної взаємодії в двофазних системах з використанням різних типів ефективних кінетичних коефіцієнтів [03010-1-03010-9]
12) Закономірності зародкового механізму конденсації аморфних плівок халькогенідних напівпровідників [03011-1-03011-7]
13) Час перемикання магнітного моменту в циркулярно-поляризованому полі [03012-1-03012-6]
14) Оствальдове визрівання виділень малих розмірів, розташованих на міжзеренній межі, ріст яких лімітується дифузією [03013-1-03013-9]
15) Вплив відпалу на оптичні властивості та дисперсію показника заломлення нанометрових плівок CdS [03014-1-03014-4]
16) Джерела кластерного пучка. Частина 1. Методи одержання кластерних пучків [03015-1-03015-13]
17) Вплив інтеркалювання кобальтом на властивості шаруватих кристалів In2Se3 [03017-1-03017-4]
18) Моделювання процесів формування іонних пучків в зондах з розподіленими системами магнітних квадрупольних лінз [03018-1-03018-5]
19) Розрахунок густини іонного струму індуктивного високочастотного джерела іонів [03019-1-03019-5]
20) Тензорезистивні властивості тонкоплівкових систем на основі Ag і Co [03020-1-03020-4]
21) Міграція домішок в структурі графена [03021-1-03021-5]
22) Числовий метод проектування несингулярного плаща–килима невидимості довільної форми [03022-1-03022-5]
23) Декодування просторових розподілень джерел іонізуючого випромінювання в системах з кодованою апертурою [03023-1-03023-5]
24) Час релаксації в пучку частинок з анізотропним розподілом швидкостей [03024-1-03024-3]
25) Фотодетектори на основі поруватого кремнію [03025-1-03025-5]
26) Асиметричність щільності розподілу об'ємного неcкомпенсованого заряду на кордоні металургійного p-n переходу [03026-1-03026-4]
27) Розрахунок ансамблю точкових дефектів у монокристалах та плівках сульфіду цинку [03027-1-03027-6]
28) Вплив поздовжнього магнітного поля на динаміку хвиль у мультигармонічному супергетеродинному ЛВЕ доплертронного типу з гвинтовим електронним пучком [06030-1-06030-1]
