Аналіз перехідних процесів та порівняння різних підсилювачів вимірювання напруги та струму

Автори Divya1 , N. Goel1, S. Bhatia2, R.K. Yadav1
Афіліація

1Department of ECE, Raj Kumar Goel Institute of Technology Ghaziabad, Uttar Pradesh, India

2Department of Computer Science and Engineering, Galgotias University, Greater Noida, Uttar Pradesh, India

Е-mail nehagfec@rkgit.edu.in
Випуск Том 18, Рік 2026, Номер 1
Дати Одержано 15 грудня 2025; у відредагованій формі 20 лютого 2026; опубліковано online 25 лютого 2026
Цитування Divya, N. Goel, S. Bhatia, R.K. Yadav, Ж. нано- електрон. фіз. 18 № 1, 01036 (2026)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.18(1).01036
PACS Number(s) 85.40._e
Ключові слова CMOS SRAMs, Підсилювач зчитування, Бітова лінія, Режим напруги, Режим струму.
Анотація

Підсилювачі зчитування відіграють важливу роль в процесі зчитуванні даних, які зберігаються в біті пам'яті. Їх продуктивність впливає на споживання енергії та швидкість ядра пам'яті. Для більшої продуктивності необхідні аналіз різних підсилювачів зчитування. Представлено проектування та експериментальне кількісне дослідження підсилювача зчитування в режимі напруги та струму для SRAM. У цій статті представлено порівняльний аналіз результатів досліджень для різних підсилювачів зчитування напруги та струму. Мета досліджєння полягала у моделюванні підсилювача зчитування в режимі напруги та струму, а також порівняння для аналізу продуктивності таких параметрів, як потужність та енергія. Інструментом для моделювання є LT-spice з використанням технології 180 нм.Kлючові слова: CMOS SRAMs, Підсилювач зчитування, Бітова лінія, Режим напруги, Режим струму.

Перелік посилань