| Автори | A. Das , S.J. Mukhopadhyay |
| Афіліація |
Department of Electronics and Communication Engineering, Brainware University, Barasat, Kolkata - 125, West Bengal, India |
| Е-mail | u.call.me.arnab@gmail.com |
| Випуск | Том 18, Рік 2026, Номер 1 |
| Дати | Одержано 03 квітня 2025; у відредагованій формі 18 серпня 2025; опубліковано online 29 серпня 2025 |
| Цитування | A. Das, S.J. Mukhopadhyay, Ж. нано- електрон. фіз. 18 № 1, 01017 (2026) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.18(1).01017 |
| PACS Number(s) | 77.55.df, 81.05.ug |
| Ключові слова | Алмаз (8) , IMPATT (2) , Великий сигнал, Кремній (98) , Терагерцевий діапазон. |
| Анотація |
Досліджено можливість використання алмазу типу IIb як основи для пристроїв з часом проходження ударної лавини (IMPATT) з подвійною дрейфовою областю (DDR), що працюють на терагерцових частотах. У цьому дослідженні використовується модель моделювання великого сигналу (L-S). Верхня гранична частота для алмазних IM-PATT DDR типу IIb становить 1,5 ТГц, тоді як для кремнієвих (Si) IMPATT вона становить 0,5 ТГц. Згідно з даними моделювання великого сигналу, алмазний IMPATT (DIMPATT) демонструє пікову радіочастотну потужність 891 мВт з ефективністю перетворення 11,02 % на частоті 0,3 ТГц при модуляції напруги 50 %. Тоді як для кремнієвих IMPATT вихідна радіочастотна потужність становить 173 мВт з ефективністю перетворення 3 % для того ж відсотка модуляції напруги. Було представлено корелятивне дослідження для DDR IMPATT на основі Si та алмазу типу IIb, яке показує перевагу DIMPATT з точки зору потужності та ефективності перетворення постійного струму в радіочастотний в терагерцовому діапазоні. |
|
Перелік посилань |