| Автори | B. Kaghouche1,2, A. Saouli1,3, I. Nouicer4, S. Abadli2, Z. Deridj, S. Boulmelh2, L. Dib2, L. Saci2 |
| Афіліація |
1Abdelhafid Boussouf University centre of Mila, BP N°26 RP Mila 43000, Algeria 2LEMEAMED Laboratory, Electronics Department, University of Constantine 1 – Mentouri Brothers, 25000 Constantine, Algeria 3Microsystems and Instrumentation Laboratories (LMI), Faculty of Technology Sciences, Mentouri Brothers University of Constantine, 25000 Constantine, Algeria 4Centre de Développement des Energies Renouvelables, (CDER), B.P. 62, Route de l'Observatoire, 16340, Bouzaréah, Algiers, Algeria |
| Е-mail | b.kaghouche@centre-univ-mila.dz |
| Випуск | Том 17, Рік 2025, Номер 6 |
| Дати | Одержано 05 серпня 2025; у відредагованій формі 11 грудня 2025; опубліковано online 19 грудня 2025 |
| Цитування | B. Kaghouche, A. Saouli, I. Nouicer, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 6, 06005 (2025) |
| DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.17(6).06005 |
| PACS Number(s) | 73.50.Pz, 85.30.De |
| Ключові слова | Ультратонкі CIGS, ATLAS-SILVACO, Щільність дефектів, Пасивація (5) , BSF (3) . |
| Анотація |
Сонячні елементи другого покоління на основі поглинального шару CIGS мають значний потенціал у фотоелектричній галузі, і, як ми знаємо, головним викликом цієї технології є зменшення товщини шару CIGS з метою мінімізації виробничих витрат, особливо шляхом зменшення споживання галію та індію, які вважаються дорогими матеріалами. З огляду на це, ми провели моделювання з використанням модуля ATLAS-SILVACO, щоб оптимізувати технологічні параметри та покращити продуктивність цього пристрою. Дійсно, на основі вже виготовленого надтонкого елемента CIGS нам вдалося зафіксувати технологічні параметри досліджуваного елемента. Ефективність та форм-фактор майже ідеально узгоджуються з еталонним сонячним елементом (η = 8,62 % та FF = 58 %). Була досліджена щільність дефектів у структурі поглинача. Збільшення щільності дефектів (порядку 1015 см – 3) ми пов'язали зі збільшенням щільності меж зерен. Ми обговорили вплив великої кількості міді (Cu) в надтонкому сонячному елементі CIGS. Потім, введення шару пасивації Al2O3 товщиною 25 нм з негативними фіксованими зарядами на межі розділу CIGS/Al2O3 дозволило покращити продуктивність пристрою, де ми зафіксували ефективність η = 11,22 % та FF = 64 %. Нарешті, ми провели оптимізацію на основі введення шару P+-CIGS BSF. Еволюцію електричних характеристик ультратонкого сонячного елемента обговорювали як функцію щільності акцептора та товщини шару BSF. Ця конфігурація AZO/i-ZnO/CdS/P-CIGS/P+-CIGS/Mo дозволила оцінити збільшення ефективності до η = 15,47 % (FF = 73,46 %). |
|
Перелік посилань |