Дослідження морфології підкладки та електричних характеристик наноструктурованих кремнієвих сонячних елементів

Автори A. Shrivastava1 , Guntaj J2 , H. Raju3, A. Dutt4, A.H. Shnain5, G.V.V. Satyanarayana6, N. Varshney7, P. William8
Афіліація

1Saveetha School of Engineering, Saveetha Institute of Medical and Technical Sciences, Chennai, Tamilnadu, India

2Centre of Research Impact and Outcome, Chitkara University, Rajpura- 140417, Punjab, India

3New Horizon College of Engineering, Bangalore, India

4Lovely Professional University, Phagwara, India

5Department of Computers Techniques Engineering, College of Technical Engineering, The Islamic University, Najaf, Iraq

6Department of CE, GRIET, Hyderabad, Telangana, 50090, India

7Department of Computer Engineering and Applications, GLA University, Mathura, India

8Department of Information Technology, Sanjivani College of Engineering, Kopargaon, MH, India

Е-mail anuragshri76@gmail.com
Випуск Том 17, Рік 2025, Номер 6
Дати Одержано 10 серпня 2025; у відредагованій формі 14 грудня 2025; опубліковано online 19 грудня 2025
Цитування A. Shrivastava, Guntaj J, H. Raju, та ін., Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 6, 06030 (2025)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.17(6).06030
PACS Number(s) 68.55.J –, 73.61.Ph, 88.40.jj
Ключові слова Морфологія підкладки, Електричні характеристики (4) , Наноструктура (18) , Кремнієві сонячні елементи (2) , Ефективність поглинання світла.
Анотація

Морфологія підкладки відіграє життєво важливу роль у визначенні електричних характеристик наноструктурованих кремнієвих сонячних елементів (NSiSC), впливаючи на динаміку переносу заряду, оптичне поглинання та поверхневу рекомбінацію. Метою дослідження є вивчення впливу різних морфологій підкладки на електричні характеристики NSiSC, включаючи ефективність перетворення енергії (ЕПE), струм короткого замикання (СКЗ), коефіцієнт заповнення (FF) та напругу холостого ходу (Voc). NSiSC було виготовлено з використанням підкладок з різною шорсткістю поверхні та текстурами. Для характеристики морфології поверхні використовувалися скануюча електронна мікроскопія (СЕМ) та атомно-силова мікроскопія (АСМ). Для дослідження кристалічної якості та фазового складу було проведено рентгенівську дифракцію (XRD). Для оцінки ефективності поглинання світла було записано спектри оптичного відбиття. Електричні характеристики вимірювалися за стандартних умов освітлення за допомогою сонячного симулятора. Результати дослідження показують сильну кореляцію між морфологією підкладки та електричними властивостями сонячних елементів. Шорсткіші поверхні демонстрували покращене захоплення світла, що призводило до збільшення щільності СКЗ. Порівняно з планарними підкладками, поверхні з нановізерунками демонстрували вищу щільність СКЗ, збільшення Vос та покращений ЕПЕ. NSiSC-30/150 мав найвищий показник ЕПЕ (13,5%), з напругою холостого ходу 529 мВ, коефіцієнтом демпфування (FF) 67,5 % та коефіцієнтом підриву під напругою 37,8 мА/см2.

Перелік посилань