Графенова нанострічкова асиметрична тунельна ТТ для швидкого перемикання і низького енергоспоживання

Автори Р. Датта1, Д. Дас2, Р. Де3
Афіліація

1Кафедра комп’ютерної інженерії (Інтернет речей), Інститут інженерії та технологій Пурніма, Джайпур, Індія

2Університет Пурніма, Джайпур, Індія

3Лабораторія матеріалів охорони здоров’я майбутнього покоління, Університет Хандон, Поханг, Південна Корея

Е-mail ritamdutta1986@gmail.com
Випуск Том 17, Рік 2025, Номер 3
Дати Одержано 18 квітня 2025; у відредагованій формі 15 червня 2025; опубліковано online 27 червня 2025
Цитування Р. Датта, Д. Дас, Р. Де, Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 3, 03014 (2025)
DOI https://doi.org/10.21272/jnep.17(3).03014
PACS Number(s) 03.65.Xp, 81.05.ue
Ключові слова Графен (41) , TFET (14) , TCAD (14) , Нанострічка (4) , Квантове тунелювання (2) .
Анотація

У цій роботі розглядається процес нанесення графену у вигляді нанострічки (0 – 2 нм) для створення асиметричного тунельного транзистора з польовим керуванням (TFET). Запропоновано модель ADG-GN-TFET (Asymmetric Dual Gate Graphene Nanoribbon TFET), розроблену за принципами квантового тунелювання з використанням гетероструктурованих оксидів та каналу довжиною 20 нм для забезпечення низького енергоспоживання. Симуляції виконано у середовищі Silvaco TCAD, а результати порівняно з традиційними моделями TFET з метою виявлення переваг. Змінювалися параметри як-от довжина каналу, товщина тіла, товщина оксиду, що дозволило знайти оптимальні характеристики для швидкодіючого перемикання. Усі моделювання здійснено при напрузі живлення 0.5 В, а напруга включення (Von) склала 0.22 В при ефективній товщині оксиду (EOT) 2 нм. Особливо варто відзначити низький рівень паразитного струму (амбіполярного), який становив 6.86  10 ⁻ 14 А/мкм, що свідчить про ефективне придушення витоків.

Перелік посилань