Автори | Р. Датта1, Д. Дас2, Р. Де3 |
Афіліація |
1Кафедра комп’ютерної інженерії (Інтернет речей), Інститут інженерії та технологій Пурніма, Джайпур, Індія 2Університет Пурніма, Джайпур, Індія 3Лабораторія матеріалів охорони здоров’я майбутнього покоління, Університет Хандон, Поханг, Південна Корея |
Е-mail | ritamdutta1986@gmail.com |
Випуск | Том 17, Рік 2025, Номер 3 |
Дати | Одержано 18 квітня 2025; у відредагованій формі 15 червня 2025; опубліковано online 27 червня 2025 |
Цитування | Р. Датта, Д. Дас, Р. Де, Ж. нано- електрон. фіз. 17 № 3, 03014 (2025) |
DOI | https://doi.org/10.21272/jnep.17(3).03014 |
PACS Number(s) | 03.65.Xp, 81.05.ue |
Ключові слова | Графен (41) , TFET (14) , TCAD (14) , Нанострічка (4) , Квантове тунелювання (2) . |
Анотація |
У цій роботі розглядається процес нанесення графену у вигляді нанострічки (0 – 2 нм) для створення асиметричного тунельного транзистора з польовим керуванням (TFET). Запропоновано модель ADG-GN-TFET (Asymmetric Dual Gate Graphene Nanoribbon TFET), розроблену за принципами квантового тунелювання з використанням гетероструктурованих оксидів та каналу довжиною 20 нм для забезпечення низького енергоспоживання. Симуляції виконано у середовищі Silvaco TCAD, а результати порівняно з традиційними моделями TFET з метою виявлення переваг. Змінювалися параметри як-от довжина каналу, товщина тіла, товщина оксиду, що дозволило знайти оптимальні характеристики для швидкодіючого перемикання. Усі моделювання здійснено при напрузі живлення 0.5 В, а напруга включення (Von) склала 0.22 В при ефективній товщині оксиду (EOT) 2 нм. Особливо варто відзначити низький рівень паразитного струму (амбіполярного), який становив 6.86 10 ⁻ 14 А/мкм, що свідчить про ефективне придушення витоків. |
Перелік посилань |